cách từ nguồn đến đầu dò. Hiệu suất càng lớn khi khoảng cách càng gần. Điều này được giải thích là do khinguồn để xa đầu dò góc khối thu nhận bức xạ giảm và ngoài ra còn do sự hấp thụ bức xạ của không khí trênđường đi. Chú ý rằng khi để nguồn gần đầu dò (các khoảng cách 10cm, 5cm, 0cm) thì các giá t[r]
nano với nhiều hình thái khác nhau. Các ưu điểm trên khiến phương pháp hóa ướtđược nghiên cứu và sử dụng ở rất nhiều nơi trên thế giới.Trong khuôn khổ luận văn này, vật liệu nano WO3 được tổng hợp và nghiêncứu ứng dụng trong cảm biến khí NH3. Các dạng hình thái của vật liệu được chế tạobằng p[r]
Nghiên cứu chế tạo và khảo sát các đặc trng Của cảm biến vi cơ đo lực Vũ Ngọc Hùng, Nguyễn Đức Chiến, Trịnh Quang Thông Trung tâm Quốc tế Đào tạo về Khoa học Vật liệu (ITIMS) Đinh Văn Dũng Khoa Vật lý, Trờng ĐHSP Hà nội 2 Tóm tắt Các cảm biến đo lực kích thớc nhỏ chế tạo bằ[r]
Nghiên cứu chế tạo và khảo sát các đặc trng Của cảm biến vi cơ đo lực Vũ Ngọc Hùng, Nguyễn Đức Chiến, Trịnh Quang Thông Trung tâm Quốc tế Đào tạo về Khoa học Vật liệu (ITIMS) Đinh Văn Dũng Khoa Vật lý, Trờng ĐHSP Hà nội 2 Tóm tắt Các cảm biến đo lực kích thớc nhỏ chế tạo bằ[r]
, hằng số điện môi ). Vì vậy tác động của đại lợng đo có thể ảnh hởng riêng biệt đến kích thớc hình học, tính chất điện hoặc đồng thời cả hai. Sự thay đổi thông số hình học của trở kháng gây ra do chuyển động của phần tử chuyển động hoặc phần tử biến dạng của cảm biến. Trong các cảm biến<[r]
-20- 1.5. Mạch đo 1.5.1. Sơ đồ mạch đo Mạch đo bao gồm toàn bộ thiết bị đo (trong đó có cảm biến) cho phép xác định chính xác giá trị của đại lợng cần đo trong những điều kiện tốt nhất có thể. ở đầu vào của mạch, cảm biến chịu tác động của đại lợng cần đo gây nên tín hiệu điện mang t[r]
Dựa vào đờng cong chuẩn của cảm biến, ta có thể xác định giá trị mi cha biết của m thông qua giá trị đo đợc si của s. Để dễ sử dụng, ngời ta thờng chế tạo cảm biến có sự phụ thuộc tuyến tính giữa đại lợng đầu ra và đại lợng đầu vào, phơng trình s= F(m) có dạng s = am +b với a, b là cá[r]
Sai số của bộ cảm biến mang tính chất ớc tính bởi vì không thể biết chính xác giá trị thực của đại lợng cần đo. Khi đánh giá sai số của cảm biến, ngời ta thờng phân chúng thành hai loại: sai số hệ thống và sai số ngẫu nhiên. - Sai số hệ thống: là sai số không phụ thuộc vào số lần đo, c[r]
1x xC yx+ +=−.a) Tìm các điểm thuộc đồ thị (C) có tổng khoảng cách đến hai trục tọa độ là nhỏ nhất.b) Tìm hai điểm M, N thuộc hai nhánh khác nhau của (C) sao cho đoạn MN nhỏ nhất.Bài 7: Gọi (Cm) là đồ thị của hàm số:1y mxx= + (*) (m là tham số)a) Khảo sát sự biến thiên và vẽ đồ thị của hàm số[r]
ĐH Bách Khoa Hà Nội 8Phần 1 CÁC BỘ CẢM BIẾN Chương 1 – KHÁI NIỆM CƠ BẢN VỀ CẢM BIẾN Trong các hệ thống điều khiển và đo lường, mọi quá trình dều được đặc trưng bởi các biến trạng thái, thường là các đại lượng không điện. Để đo đạc và theo dõi sự biến thiên này ta phải dùng c[r]
KHẢO SÁT HÀNH VI LỜI NÓI MỜI TRỰC TIẾP TRONG TIẾNG ANH VÀ TIẾNG VIỆT AN INVESTIGATION INTO SPOKEN DIRECT INVITATIONS IN ENGLISH AND VIETNAMESE LƯU QUÝ KHƯƠNG Trường Đại học Ngoại ngữ, Đại học Đà Nẵng TÓM TẮT Mời là một hành vi lời nói rất phổ biến trong giao tiếp hàng ngày. Bài này khả[r]
trường ĐHHH VN Câu1: Trình bày và phân loại cảm biến: CB là thiết bị dùng để cảm nhận, biến đổi các đại lượng vật lý thành đại lượng điện có thể đo và xử lý được. Câu 2 :Trình bày các đặc trưng cơ bản của cảm biến: a)độ nhạy b)độ tuyến tính c)độ chính xác 3 Nguyên lý chế tạo cảm biến tích cực
ĐH Bách Khoa Hà Nội 8Phần 1 CÁC BỘ CẢM BIẾN Chương 1 – KHÁI NIỆM CƠ BẢN VỀ CẢM BIẾN Trong các hệ thống điều khiển và đo lường, mọi quá trình dều được đặc trưng bởi các biến trạng thái, thường là các đại lượng không điện. Để đo đạc và theo dõi sự biến thiên này ta phải dùng c[r]
vậy nghiên cứu đề tài này trước hết là tìm hiểu về bản chất vật lý của hiệu ứng GMR,nguyên lý đo cường độ từ trường bằng hiệu ứng GMR, cấu trúc của một van spin vàcấu tạo của một cảm biến điện tử dựa trên van spin cũng như nguyên lý hoạt động củanó. Tiếp theo là khảo sát các đặc tuyến[r]
với tỷ lệ 0,05% . Trong thí nghiệm này, ta dùng diode laser - thờng gọi làlaser bán dẫn. Cho một dòng điện một chiều có cờng độ thíchhợp chạy qua lớp tiếp xúc p-n tạo ra từ chất bán dẫn cơ bảnGaAs, tia laser hồng ngoại sẽ đợc phát ra do quá trình tái hợpp-n. Đây là quá trình biến đổi trực tiếp khá h[r]
được phản ảnh trong các kết quả khảo sát trực tiếp của chúng tôi cũng như qua thu thập được trong quá trình triển khai các đề tài nghiên cứu [2,3]. Hình 5. Biến trình dòng chảy tại trạm vịnh Đồ Sơn vào ngày nước cường 28/8. 3. Các đặc trưng môi trường Biến động phân bố theo độ sâu củ[r]
1. Mở đầu Các cấu trúc đo tín hiệu cơ tiêu biểu thờng có dạng các màng hoặc các thanh dầm đợc chế tác 3 chiều từ các vật liệu khối. Chỉ có thể chế tạo các cấu trúc này với độ chính xác cao nhờ công nghệ vi cơ (micromachining technology). Do tính đặc thù cũng nh khả năng đặc biệt của công nghệ vi cơ[r]
+ Trong đa số trường hợp, có thể dùng nguyên lý thuận nghịch để khảo sát các đặc trưng của anten thu: Các đặc trưng của 1 anten sử dụng để thu sóng điện từ rất gần với các đặc trưng tương ứng của anten khi nó được sử dụng để bức xạ sóng điện từ. Æ Nếu 1 anten có độ lợi G[r]
được một số nguyên nhân gây ra sai số ngẫu nhiên nhưng không thể dự đoán được độ lớn và dấu củanó. Những nguyên nhân gây ra sai số ngẫu nhiên có thể là:+Do sự thay đổi đặc tính của thiết bị.+Dotín hiệu nhiễu ngẫu nhiên.+Do các đại lượng ảnh hưởng không được tính đến khi chuẩn cảmbiến.//Chúng ta có t[r]