THÍ NGHIỆM VẬT LÝ KHẢO SÁT NHIỄU XẠ TIA LASER QUA MỘT KHE HẸP NGHIỆM HỆ THỨC BẤT ĐỊNH HEISENBERG

Trong thÝ nghiÖm nµy, ta dïng diode laser - th−êng gäi lµ
laser b¸n dÉn . Cho mét dßng ®iÖn mét chiÒu cã c−êng ®é thÝch hîp ch¹y qua líp tiÕp xóc p-n t¹o ra tõ chÊt b¸n dÉn c¬ b¶n GaAs, tia laser hång ngo¹i sÏ ®−îc ph¸t ra do qu¸ tr×nh t¸i hîp p-n. §©y[r]

Cđu 7: Không khí trong khí quyển hấp thụ rất mạnh tất cả sóng vô tuyến dải sóng vô tuyến
nhưng trừ một số dải sóng của vùng sóng năo sau đđy mă câc đăi phât thanh thường dùng :
A. sóng trung ; B. sóng cực ngắn . C. sóng ngắn : D. sóng dài ;
Cđu 8: Một bức xạ đơn sắc có bư[r]

3. Th ự c nghi ệ m xác nh ậ n tính ch ấ t sóng c ủ a các h ạ t vi mô a. Nhi ễ u x ạ c ủ a electrôn qua khe h ẹ p:
Cho chùm electrôn đ i qua m ộ t khe h ẹ p. Trên màn hu ỳ nh quang ta thu đượ c hình ả nh nhi ễ u x ạ gi ố ng nh ư hi ệ n t ượ ng nhi ễ u x ạ c ủ a ánh sáng qua[r]

Chiếu đèn pin qua khe hẹp của một tấm bìa đặt như hình 3, bạn hãy dự đoán xem ánh sáng qua khe sẽ như thế nào.. Làm thí nghiệm để kiểm tra dự đoán.[r]

Với biến đổi STFT, độ phân giải thời gian và độ phân giải tần số bị giới hạn bởi nguyên lý bất định Heisenberg, phân tích Wavelet dựa trên một ý tưởng: tín hiệu được khai triển trên một [r]

Hình 3-6. Nhi ễ u x ạ qua m ộ t khe h ẹ p
Vì ánh sáng g ử i đế n khe là sóng ph ẳ ng nên m ặ t ph ẳ ng khe là m ặ t sóng, các sóng th ứ
c ấ p trên m ặ t ph ẳ ng khe dao độ ng cùng pha. Xét các tia nhi ễ u x ạ theo ph ươ ng =0, chúng h ộ i t ụ t ạ i đ i[r]

Ạnh nhieêu xá qua moôt khe Nhaôn xeùt
Ñoâi vôùi nhieêu xá cụa aùnh saùng qua moôt khe thì cöôøng ñoô vaø beă roông cụa cöïc ñái chính laø raât lôùn so vôùi caùc cöïc ñái phú. Ñeơ tìm khoạng caùch giöõa cöïc ñái chính vaø cöïc ñái phú, ta phại laây trung bình c[r]

Chiếu đèn pin qua khe hẹp của một tấm bìa đặt như hình 3, bạn hãy dự đoán xem ánh sáng qua khe sẽ như thế nào.. Làm thí nghiệm để kiểm tra dự đoán.[r]

CÂU 7: TRONG THÍ NGHIỆM Y-ÂNG VỀ GIAO THOA VỚI ÁNH SÁNG ĐƠN SẮC CÓ BƯỚC SÓNG , khoảng cách giữa hai khe hẹp là a, khoảng cách từ mặt phẳng chứa hai khe hẹp đến màn quan sát là 2m.. Trên[r]

A. Tia hồng ngoại và tia tử ngoại đều là sóng điện từ. B. Sóng ánh sáng là sóng ngang.
C. Các chất rắn, lỏng và khí ở áp suất lớn khi bị nung nóng phát ra quang phổ vạch.
D. Chiết suất của cùng một môi trường trong suốt đối với các ánh sáng đơn sắc khác nhau thì khác nhau.

Khi tiếp tục tăng độ rộng khe lên, bề rộng của cực đại trung tâm hẹp lại hơn, cực đại nhiễu xạ rõ hơn Cường độ ánh sáng tập trung cao ở giữa đồ thị, cường độ ánh sáng bị phân tán hai bên[r]

Khoảng cách giữa hai khe hẹp trong thí nghiệm Young bằng 5,5 lần bước sóng ánh sáng thì trên màn quan sát sẽ nhận được tối đa bao nhiêu vân sáng.. Khoảng cách giữa hai khe hẹp trong thí [r]

CÂU 71 ĐH - 2012: TRONG THÍ NGHIỆM Y-ÂNG VỀ GIAO THOA VỚI ÁNH SÁNG ĐƠN SẮC CÓ BƯỚC SÓNG  , khoảng cách giữa hai khe hẹp là a, khoảng cách từ mặt phẳng chứa hai khe hẹp đến màn quan sát [r]

TRONG PHỊNG THÍ NGHIỆM_ DÙNG ĐỂ NGHIÊN CỨU THÀNH PHẦN VÀ CẤU TRÚC CỦA CÁC VẬT RẮN • _NGÀNH KHOA HỌC TINH THỂ HỌC TIA X DỰA VÀO SỰ _ _NHIỄU XẠ TIA X TỪ TINH THỂ_.[r]

BÀI 27 : PHẢN XẠ TOÀN PHẦN

I. Sự truyền ánh sáng vào môi trường chiết quang kém hơn
1. Thí nghiệm
a. Dụng cụ:
Bán trụ thủy tinh
Đĩa chia độ
Nguồn sáng : đèn laser

b. Tiến hành:
Chiếu chùm tia hẹp vào bán trụ theo phương bán kính.
Quay đèn laze, quan sát chùm tia khúc xạ và[r]

Trong thí nghiệm Y-âng về giao thoa với ánh sáng đơn sắc có bước sóng  , khoảng cách giữa hai khe hẹp là a, khoảng cách từ mặt phẳng chứa hai khe hẹp đến màn quan sát là 2 m.. Trên mà[r]

ở đây, mathbf{g} véctơ tán xạ của ch ùm nhi ễu xạ, mathbf{r}_i l à v ị trí của
nguyên t ử thứ i trong ô đơn vị, c òn fi là kh ả năng tán xạ của nguy ên t ử. Tổng được lấy trên toàn ô đơn vị.
 Ph ổ nhiễu xạ tia X

PHẦN A. CƠ HỌC LƯỢNG TỬ
1. Các khái niệm cơ bản
1.1 . Hàm sóng. Nguyên lý chồng chất trạng thái
1.2 Toán tử. Các phép tính về toán tử. Hàm riêng và giá trị riêng của toán tử. Toán tử tuyến tính và toán tử Hermite, các tính chất của toán tử Hermite. Toán tử toạ độ, xung lượng, mô men xung lượng và to[r]

Để khảo sát vị trí các cực đại nhiễu xạ và sự phân bố c−ờng độ sáng của chúng, ta dùng một cảm biến quang điện silicon QĐ có thể di chuyển đ−ợc nhờ một th−ớc panme P gắn liền với nó trên[r]

(c) hình nhiễu xạ không ñổi.
(d) hình nhiễu xạ thay ñổi không theo quy luật nào. 15.
Chiếu một chùm sáng ñơn sắc song song ñến vuông góc với một khe hẹp có bề rộng 0,1 mm. Sau khe ñặt một thấu kính hội tụ tiêu cự 1m. Bề rộng vân cực ñại[r]