Cấp nguồn và phân cực choTransistor như thế nào1. Ứng dụng của Transistor.Transistor có thể xem là linh kiện quan trọng nhất trong các thiết bị điệntử; các loại IC thực chất là các mạch tích hợp nhiều Transistor trong mộtlinh kiện duy nhất. Trong các mạch điện Transist[r]
2. Phân cực bằng cầu phân thế và RE• Mạch điện:R1, R2điện trở phân cực.RCđiện trở cấp điệnREđiện trở ổn định nhiệt .Là mạch rất được thông dụng.Mạch điện tương đương• Theo định lý Thevenin:VBB= [R2/ (R1+ R2)] VCC (1)RB= R
bHình 32 Trang 81 Biên soạn: Trương Văn Tám . Giáo trình Linh Kiện Điện Tử 2. iện dẫn truyền (transconductance) ay đổi này bằng một đặc tuyến truyền (transfer curve) của transistor. Đặc tuyến này giống như đặc tuyến của diode khi phân cực thuận. Người ta định nghĩa điện dẫn truyền c[r]
Ñieän töû cô baûnChương 4 . Mạch phân cực Transistor lưỡng cực nốiMạch TransistorĐể Transistor hoạt động ta phải cấp điện DC cho các cực B,C,E ( phân cực) để xác định điểm tĩnh điều hành Q ( IB, IC, VCE).Hai mạch transistor cơ bản: Khuếch đại Giao hoántùy theo dạ[r]
6.Phân cực transistor pnp• Thường có 2 dạng phân cực thông dụng:Chỉ nên đọc khi đã thật quen với mạch transistor npn.• Xem giáo trình ĐTCB• Xem bài tập 2.9 và 2.10Các cách phân cực bằng nguồn ổn dòng, gương dòng sẻ xét ở chương ICII.Phân cực mạch Trans[r]
1KS Nguyễn Thanh Tùng – Kb Nguyễn Page 6 Nhận xét : mạch phân cực bằng dòng không đổi này có sự thay đổi điểm công tác tĩnh tương đối nhỏ và hệ số ổn định nhiệt thấp nên mạch có độ ổn định điểm công tác tĩnh và có độ ổn định nhiệt tương đối cao và là mạch phân cực tốt nhất so vớ[r]
5.Hệ số ổn định nhiệt SKhi nhiệt độ thay đổi, các thông số transistor thay đổi như sau: ICBOtăng gaáp đôi khi nhiệt độ tăng lên 10oC.[ 8oC ( Si); 12oC(Ge)]. tăng gắp đôi khi nhiệt độ tăng 50oC ( Si) ; 80oC ( Ge). VBEgiảm theo – 2,2mV / oC [ -2,5mV / oC (Si); - 1,6mV / oC ( Ge) ].Vậy dòng t[r]
CC lên đến giá trị đủ lớn tức điện áp trên SCR cũng tăng theo và khi đạt đến giá trị điện áp ngập UBO (Breakover) thì điện áp UAK giảm xuống giống như diod và dòng điện IA tăng nhanh .Lúc này SCR chuyển sang trạng thái dẫn điện .Dòng điện ứng với lúc điện áp UAK giảm nhanh gọi là dòng điện duy trì I[r]
Khi đã có được hai chất bán dẫn là P và N , nếu ghép hai chất bán dẫn theo một tiếp giáp P - N ta được một Diode, tiếp giáp P -N có đặc điểm : Tại bề mặt tiếp xúc, các điện tử dư thừa trong bán dẫn N khuyếch tán sang vùng bán dẫn P để lấp vào các lỗ trống => tạo thành một lớp Ion trung hoà về[r]
động . trong mạch chỉnh lưu Diode có thể được tích hợp thành Diode cầucó dạng .Diode cầu trong mạch chỉnh lưu điện xoay chiều .3 - Các loại Diode3.1 - Diode Zener* Cấu tạo :Diode Zener có cấu tạo tương tự Diode thường nhưng có hai lớp bán dẫn P- N ghép với nhau, Diode Zener được ứng dụng trong chế đ[r]
1 – Giới thiệu về Transistor1.1 – Cấu tạo của Transistor. ( Bóng bán dẫn )Transistor gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau hình thành hai mốitiếp giáp P-N , nếu ghép theo thứ tự PNP ta được Transistor thuận , nếughép theo thứ tự NPN ta được Transistor ngược. về phương d[r]
Ngoài ra, ta cũng có điện trở rb của vùng bán dẫn nền phát (ở đây, ta có thể coi như đây là điện trở giữa B và B’). Do giữa B’ và C phân cực nghịch nên có một điện trở r0 rất lớn. Te = βib chạ qua và được coi như mắc song song với r0. ong cách mắc nền chung: 26n+ p B’n- ieib’icB C E uy nhiên[r]
• Thí nghiệm : Cấp nguồn một chiều UDqua một bóng đèn D vào hai cực D và S của Mosfet Q (Phân cực thuận choMosfet ngược) ta thấy bóng đèn không sáng nghĩa là không có dòng điệnđi qua cực DS khi chân G không được cấp điện. • Khi công tắc K1 đóng, nguồn UG cấp vào hai cực GS làm điện áp UGS &am[r]
bHình 32 Trang 81 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử 2. iện dẫn truyền (transconductance) ay đổi này bằng một đặc tuyến truyền (transfer curve) của transistor. Đặc tuyến này giống như đặc tuyến của diode khi phân cực thuận. Người ta định nghĩa điện dẫn truyền củ[r]
Cực E nối vào cực âm , cực C nối vào cực dương của nguồn DC, cực B để hở. Trường hợp này điện tử trong vùng bán dẫn N của cực C và E , do tác dụng của lực tónh điện sẽ bò di chuyển theo hướng từ cực E về cực C . Do cực B để hở nên điện tử từ vùng bán dẫn N của cực E sẽ không thể sang vùng bán dẫn P[r]