ĐẶC TUYẾN VOLT

CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAMĐộc lập-Tự do-Hạnh phúcĐỀ THI TỐT NGHIỆP CAO ĐẲNG NGHỀ KHOÁ 2 (2008-2011)NGHỀ: ĐIỆN TỬ CÔNG NGHIỆPMÔN THI: LÝ THUYẾT CHUYÊN MÔN NGHỀMã đề thi: ĐTCN - LT 27Hình thức thi: ViếtThời gian: 180 Phút (Không kể thời gian giao đề thi)ĐỀ BÀICÂU 1. (2 điểm) Thiết kế mạch đếm[r]

86420Trong đó H là mật độ chiếu sáng (mW/cm2 ) Đặc tuyến của transistor quang cũng giống như đặc tuyến Volt- ampere của transistor thông thường mắc EC. Điều khác nhau ở đây là các tham số không phải là dòng Ib mà là lượng chiếu sángĐặc tuyến Volt ampe[r]

SCR (THYRISTOR – SILICON CONTROLLED RECTIFIER).Cấu tạo và đặc tính:SCR được cấu tạo bởi 4 lớp bán dẫn PNPN (có 3 nối PN). Như tên gọi ta thấy SCR là một diode chỉnh lưu được kiểm soát bởi cổng silicium. Các tíêp xúc kim loại được tạo ra các cực Anod A, Catot K và cổng G.PNPNKCatodGCổng(Gate)NPNAnodC[r]

IX. ĐIỆN DẪN TRUYỀN (TRANSCONDUCTANCE) CỦA JFET VÀ DEMOSFET. 117 X. ĐIỆN DẪN TRUYỀN CỦA E-MOSFET. 118 XI. TỔNG TRỞ VÀO VÀ TỔNG TRỞ RA CỦA FET 119 XII. CMOS TUYẾN TÍNH (LINEAR CMOS) 120 XIII. MOSFET CÔNG SUẤT: V-MOS VÀ D-MOS 122 1. V-MOS: 122 2. D-MOS: 123 Bài tập cuối chương 125 CHƯƠNG VII 126 LINH[r]

C. Các yếu tố ảnh hưởng tới dung lượng của accu: Khối lượng và diện tích chất tác dụng trên bản cực. Dung dòch điện phân. Dòng điện phóng. Nhiệt độ môi trường. Thời gian sử dụng.Dung lượng của accu phụ thuộc lớn vào dòng phóng. Phóng dòng càng lớnthì dung lượng càng giảm, tuân theo đònh luật Pe[r]

DiD+_0ҥFKÿLӋQWӱhttp://www.khvt.comChương 1 10x Đặc tuyến Volt-Ampere (VA) của Diode )1()1(   TDDmVvomkTqvoDeIeIiIo: Dòng phân cực nghòch bão hòa (reverse saturation current), A q = 1,6E-19 C k = 1,38E-23 J/ oK: Hằng số BoltzmannT: Nhiệt độ tuyệt đối,

“ Chöông 4” §4.3 PHỐI HỢP GIỮA RECLOSER VỚI RECLOSERI/- DÙNG ĐẶC TUYẾN TCC :Phối hợp recloser – recloser được thực hiện bằng cách lựa chọn các giá trị dòng cắt nhỏ nhất thích hợp và căn cứ trên đặc tuyến TCC để lựa chọn. Điều kiện để phối hợp tốt nhất là các recloser phải[r]

PrecedentDS PlayerElectric Vehicle2-passenger 2-passenger 4-passenger 4-passengerSearch Find the Golf Car That’s Right For You. This simple chart shows you standard equipment, which is included in the price of our golf cars. But don’t stop shopping here. Club Car offers hundreds of accessories and o[r]

C tại điểm phân cực.b. Tìm giá trị gần đúng của ICEO của transistor.c. Tính VCE và IC tại điểm phân cực mà không sử dụng họ đặc tuyến.Hình 2-8 (Bài tập 2-9)Bài tập Kỹ Thuật Điện Tử - Phần BJT – Trang 3/8Hình 2-9 (Bài tập 2-9)ĐS (a) 42,5 mA; 3,8 V (gần đúng); (b) 1 mA (gần đúng); (c) 42[r]

trong nghiên cứu. Xây dựng các cấu hình khảo sát đặc trưng của từ trường theo khoảngcách với loại cảm biến SV-01, khảo sát các đặc trưng của cảm biến này theo từ trường,xây dựng cấu trúc và các chức năng của thiết bị, thiết kế lắp ráp các mạch điện tử vàcác giải pháp hiệu chỉnh, thiết kế phần mềm gi[r]

CE)/ RC= -VCE/ RC+ VCC/RC ( 7)Đường tải tĩnh đựợc vẽ trên đặc tuyến ra qua 2 điểm xác định sau:Cho IC= 0  VCEM= VCC(Điểm M)Cho VCE= 0  ICM= VCC/ RC(Điểm N)

b. Hiệu ứng Keer đợc điều khiển bởi đồng thời cả ánh sáng vào và ánh sáng phản hồi ngợc. b1. Trờng hợp tham số tách 0 Nếu hệ số hấp thụ của môi trờng phi tuyến là rất nhỏ (d=0), tham số tách 0=-0.02. Thì đờng cong trễ xuất hiện ngay khi 0 thay vì đờng cong dạng tập hợp nhiều cái chĩa trong[r]

=3.3KΩ, UDD=20V. 1. Tính gm, rd. 2. Vẽ đồ thị đường tải tĩnh trên đặc tuyến truyền đạt. 3. Vẽ sơ đồ tương đương xoay chiều. 4. Tính hệ số khuếch đại điện áp. Hình 2 Câu 3(2 điểm): cho mạch điện hình 3. Giả thiết các bộ khuếch đại thuật toán là lý tưởng. 1. Hãy xây dựng biểu thức tín[r]

Ảnh hưởng của nhiệt độ lên các đặc tuyến của BJT.. Điện dẫn truyền transconductance ...82 3.[r]

này làm giảm tới 0 sự chênh lệchđiện thế màchúng ta muốn đo.Tóm lại, volt được cấutạo với một mạch điện hở (hay điện trở rất lớn) giữahai đầu đo “trôi nổi” của nó. Mộtđiện kế analog kiểu cũ thuộc loại mô tả ở đây sẽchỉ số 0khiđể trôi nổi, kếtquả tương tự như khi đặt nó nằm trên kệ. Còn voltkế[r]

3.a. Tìm IC khi VBE = 0,7 V và VCE = 20Vb. Tìm β tại điểm này (bỏ qua dòng điện rò)ĐS (a) ≈ 0,95; (b) ≈ 952-6 Trên mạch hình 2-4, tìm: *********a. IC khi VCB = 10Vb. VCB khi IC = 1 mAĐS (a) 1,515 mA; (b) 11,7 V2-7 BJT Si trên hình 2-5 có họ đặc tuyến ra CB như hình 2-6.a. Vẽ đường tải[r]

tổn hao công suất của tín hiệu, điều này có được do cực điều khiển hầu như cách li về điện với kênh dẫn hay điện trở lối vào cực lớn (109 ¸1013 W so với loại tranzito bipolal dòng điện dò đầu vào gần như bằng không, với công nghệ CMOS điều này gần đạt tới lí tưởng. Nhận xét này đặc biệt quan trọng v[r]

không lớn quá mức ở điện áp 1,1UđmCó thể giảm hiện tượng va đập bằng cách ,ví dụ,hình 4-8 tạo ra đặc tuyến lực lò xo tiếp điểm gần với đặc tuyến lực hút của nam châm điện Fđtbằng cách tăng độ cứng của lò xo.4. Khi lực chuyển động giảm ,trong quá trình ngắt khí cụ điện ,ví[r]

Trường hợp không lọc, điện áp không tải bằngtrịsố hiệudụng của dạngmột nửa hình sin tần số 100Hz. Trong các trườnghợp khác, do điện trở trong của van phụ thuộc vào dòng điện tảinên đặc tuyến hơi cong, độ dốc của đặc tuyến phụ thuộcđiện trởra của bộchỉnhlưu.Đường 2 ứng với[r]

Giáo trình cung cấp điệnPGS.TS. Quyền Huy ÁnhCHƯƠNG VIITÍNH TOÁN NGẮN MẠCH7.1. Khái niệm chungViệc lắp đặt điện hầu như luôn yêu cầu bảo vệ chống ngắn mạch ở nơi có rẽ nhánh, tức lànơi có sự thay đổi tiết diện dây dẫn. Dòng ngắn mạch phải được tính toán ở mỗi mức của mạngđiện nhằm xác đònh các đặc t[r]