CHƯƠNG 2 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT DOC

Chương 2:TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) Vùng tác động: (Vùng khuếch đại hay tuyến tính) Mối ghép B-E phân cực thuận Mối ghép B-C phân cực nghịch•Vùng bảo hòa: Mối ghép B-E phân cực thuận Mối ghép B-C phân cực thuận •Vùng ngưng: Mối ghép B-E phân cực nghịch Vùng hoạt[r]

Hiệu suất cực đại khi Icm cực đại: max(Icm) = ICQLCCRV2| (Giả sử RL >> Re)Suy ra: max(K)LCCLCCRVRV2/8/22 = 0.25 9 Tỷ số công suất tiêu tán TST cực đại trên công suất tải xoay chiều cực đại: (Thiết kế: Chọn TST có chỉ số công suất tiêu tán cực đại thích hợp) 2

: cung cấp phân cực DC để BJT hoạt động trong miền tuyến tính. I.3.1.A. Khảo sát DC: ⇒ I.3.1.B. Khảo sát AC: Để có mạch tương đương (Hình 1c.) cần biết như sau : Bất kỳ node nào mà điện áp tại đó đúng bằng hằng số (constant) thì được coi như nối đất về mặc AC. Nội trở của tất cả các ng[r]

VỊ TRÍ BÀI GIẢNGTên chương Tên bài Tiết phân phối Tổng số tiếtChương 1. Linh kiện thụ độngBài 1. Điện trở 01-05 05Bài 2. Tụ điện 06-10 05Bài 3. Cuộn cảm 11-15 05Chương 2. Linh kiện bán dẫnBài 4. Khái niệm chất bán dẫn 16-19 04Bài 5. Tiếp giáp P-N và Diode 20-23 04Bài 6. <[r]

JC sơ đồ phân cực trong BJTJEJC Tham số•Hệ thức cơ bản về các dòng điện trong Transistor •Hệ số truyền đạt dòng điện α của Transistor •Hệ số khuếch đại dòng điện β của Transistor •Ta có hệ thức:E B CI I I= +CEII=αC

- Đặc trưng ngõ ra IC = f(UCE)* IB = const Bài 4: Transistor lưỡng cực BJT 31 - Đặc trưng IS &amp; IC: IC = f(IB) IV.CÁC BÀI THỰC TẬP 4.1 Nhận dạng và đo kiểm tra các BJT: Bảng 4.1: Nhận dạng và đo kiểm tra các BJT. Mã số B-E B-C C-E Ký hiệu Hình dạng và chân[r]

Cực E nối vào cực âm , cực C nối vào cực dương của nguồn DC, cực B để hở. Trường hợp này điện tử trong vùng bán dẫn N của cực C và E , do tác dụng của lực tónh điện sẽ bò di chuyển theo hướng từ cực E về cực C . Do cực B để hở nên điện tử từ vùng bán dẫn N của cực E sẽ không thể sang vùng bán dẫn P[r]

Chương 3: Transistor lưỡng cực BJTBài giảng môn Kỹ thuật điện tửChương 3: TRANSISTOR Lưỡng cực BJT(Bipolar Junction transistor)Là một linh kiện bán dẫn có ba cực có khả năng khuếch đại tín hiệu hoặchoạt động như một khoá đóng mở, rất thông dụng trong[r]

CHƯƠNG III: Transistor Lưỡng CựcMỤC TIÊU THỰC HIỆN:Học xong bài này học viên có khả năng:-Hiểu được cấu trúc của Transistor lưỡng cực.-Biết cách phân cực cho Transistor-Biết được nguyên lý mạch khuếch đại. 1. Cấu tạo tạo của Transistor.[r]

IC=0, UCE=VCC.Điểm làm việc tĩnh: Giao điểm giữa đường tải tĩnh với đặc tuyến BJT của dòng IB phân cực. Phân cực bằng dòng cố địnhPhân cực bằng dòng cố địnhTính ổn định nhiệtKhi nhiệt độ tăng, IC tăng, điểm làm việc di chuyển từ A sang A’. BJT dẫn càng mạnh, nhiệt độ trong BJT[r]

Trường Đại học Công nghệ thông tin – Đại học quốc gia Hồ chí Minh CHƯƠNG 4 KHÁI NIỆM MẠCH IC 4.1. CÁC KHÁI NIỆM LIÊN QUAN Cổng logic là tên gọi chung của các mạch điện tử có chức năng thực hiện các hàm logic. Cổng logic có thể được chế tạo bằng các công nghệ khác nhau (Lưỡng cực, MOS[r]

= 2,2Ω  C5= 1/( 2000Л*2,4 ) = 65,2 µ F9. Hãy tính các trị số yêu cầu dưới đây đối với mạch ở hình 4.30JC,tầng 1:VB= 0V ; VE= - 0,7V ; VC= 3,8V ; Av= 1,7 ;zin= 360 kΩ ; zout= 6 kΩtầng 2:VB= 3,8V ;VE= 4,5V;VC= 0,3V ; Av= 4,6;E. Câu hỏi phần mạch BJT khác.5.1. Mạch khuyếch đại collecto[r]

Điện tử từ cực âm của nguồn VEE di chuyển vào vùng phát qua vùng nền, đáng lẽ trở về cực dương của nguồn VEE nhưng vì: + Vùng nền rất hẹp so với hai vùng kia.. +Nguồn VCC>> VEE cho nên đ[r]

65 mA54mA43mAIEIEVVCCCCIBIBBBRLL++2mA2+VVEEEE3ICIC C

P NPEBCN PNEBCTransistor thuận Transistor ngượcLớp chuyển tiếp P-NLớp chuyển tiếp P-NoChuyển tiếp P-N giữa miền B và E gọi là JE.oChuyển tiếp P-N giữa miền B và C gọi là JC.Khi chưa cung cấp điện áp ngoài cho các chân cực của Transistor thì các tiếp xúc JE và JC ở trạng thái bão hòa,[r]

Chương 3: Transistor lưỡng cực BJTBài giảng môn Kỹ thuật điện tửChương 3: TRANSISTOR Lưỡng cực BJT(Bipolar Junction transistor)Là một linh kiện bán dẫn có ba cực có khả năng khuếch đại tín hiệu hoặchoạt động như một khoá đóng mở, rất thông dụng trong[r]

điện áp cao nơi tổn hao trạng thái mở là tối thiểu, một BJT được ưa chuộng nơi tiêu phí thực hiện làm nghèo tần số cao. Sáng kiến cổng cách điện bóng bán dẫn hai cực (IGBT) đã phần nào khắc phục các hạn chế của các BJTs và MOSFETs . Các IGBTs cung cấp khả năng điện áp cao, tổn hao trạng thái[r]

TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT BIPOLE TRANSISTOR CÁC THÔNG SỐ CỦA BJT • Β LÀ HỆ SỐ KHUẾCH ĐẠI CỦA BJT • I Cmax LÀ DÒNG COLLECTOR LỚN NHẤT • P Cmax LÀ CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI CỦA BJT • _F_ T LÀ TẦN S[r]

Chương 3CHẤT BÁN DẪN – LINH KIỆN BÁN DẪN1NỘI DUNG CHƯƠNG 3NỘI DUNG CHƯƠNG 33.1. ĐẠI CƯƠNG VỀ CHẤT BÁN DẪN3.2. DIODE BÁN DẪN3.3. TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT)3.4. TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG (JFET)2•Mô tả được cấu tạo của JFET•Nêu được nguyên lý hoạ[r]

Hình 2.4. Sơ đồ mạch và dạng sóng mạch chỉnh lu một nửa chu kỳ có dùng mạch lọc bằng tụ CCRvVttvTChơng 3: Transistor lỡng cực BJTBài giảng môn Kỹ thuật điện tửChơng 3: TRANSISTOR Lỡng cực BJT(Bipolar Junction transistor)Là một linh kiện bán dẫn có ba cực có khả năng khuếc[r]