TRANSISTOR MỘT ĐIỆN TỬ -- CHẾ TẠO

linh kiện điện tử công suấtcông ty sản xuất linh kiện điện tửchế tạo linh kiện điện tửdự án hoàn thiện công nghệ chế tạo động cơ điện phòng nổ có cấp công suất từ 0giáo trình công nghệ chế tạo linh kiện điện tửcông nghệ chế tạo linh kiện điện tửgiáo trình công nghệ chế tạo mạch vi điện tửcông nghệ c[r]

Nghiên cứu ảnh hưởng của hàm lượng li tới độ dẫn ion li+ của màng mỏng lalitio chế tạo bằng phương pháp lắng đọng chùm tia điện tử (LV01446) Nghiên cứu ảnh hưởng của hàm lượng li tới độ dẫn ion li+ của màng mỏng lalitio chế tạo bằng phương pháp lắng đọng chùm tia điện tử (LV01446) Nghiên cứu ảnh hưở[r]

na-nô MESA + (Hà Lan), phòng thí nghiệm đã nghiên cứu chế tạo thành công cảm biến na-nô sinh học dùng trong định lượng một số hợp chất sinh học. Một số ứng dụng đang được triển khaiđể tạo sản phẩm: dùng sợi na-nô pla-tin để định lượng nồng độ glu-cô, hướng tới đo hàm lượng glu-c[r]

cao xuống thấp tPHL. Hai giá trị này thường khác nhau. Sự thay đổi trạng thái được xác định ở tín hiệu ra. Thí dụ tín hiệu qua một cổng đảo, thời trễ truyền được xác định như ở (H 3.14) Tùy theo họ IC, thời trễ truyền thay đổi tử vài ns đến vài trăm ns. Thời trễ truyền càng lớn thì tốc độ làm[r]

-9x5.10-3 = 50x10-12 watt-sec = 50 picojoules (pj) Trong quá trình phát triển của công nghệ chế tạo IC người ta luôn muốn đạt được các IC có công suất tiêu tán và thời trễ truyền càng nhỏ càng tốt. Như vậy một IC có chất lượng càng tốt khi tích số công suất-vận tốc càng nhỏ. Tuy nhiên[r]

PLH và thời trễ truyền từ cao xuống thấp tPHL. Hai giá trị này thường khác nhau. Sự thay đổi trạng thái được xác định ở tín hiệu ra. Thí dụ tín hiệu qua một cổng đảo, thời trễ truyền được xác định như ở (H 4.14) Tùy theo họ IC, thời trễ truyền thay đổi tử vài ns đến vài trăm ns. Thời trễ truy[r]

cao xuống thấp tPHL. Hai giá trị này thường khác nhau. Sự thay đổi trạng thái được xác định ở tín hiệu ra. Thí dụ tín hiệu qua một cổng đảo, thời trễ truyền được xác định như ở (H 3.14) Tùy theo họ IC, thời trễ truyền thay đổi tử vài ns đến vài trăm ns. Thời trễ truyền càng lớn thì tốc độ làm[r]

10 ns x 5 mW =10.10-9x5.10-3 = 50x10-12 watt-sec = 50 picojoules (pj) Trong quá trình phát triển của công nghệ chế tạo IC người ta luôn muốn đạt được các IC có công suất tiêu tán và thời trễ truyền càng nhỏ càng tốt. Như vậy một IC có chất lượng càng tốt khi tích số công suất-vận tốc[r]

cao xuống thấp tPHL. Hai giá trị này thường khác nhau. Sự thay đổi trạng thái được xác định ở tín hiệu ra. Thí dụ tín hiệu qua một cổng đảo, thời trễ truyền được xác định như ở (H 3.14) Tùy theo họ IC, thời trễ truyền thay đổi tử vài ns đến vài trăm ns. Thời trễ truyền càng lớn thì tốc độ làm[r]

cao xuống thấp tPHL. Hai giá trị này thường khác nhau. Sự thay đổi trạng thái được xác định ở tín hiệu ra. Thí dụ tín hiệu qua một cổng đảo, thời trễ truyền được xác định như ở (H 3.14) Tùy theo họ IC, thời trễ truyền thay đổi tử vài ns đến vài trăm ns. Thời trễ truyền càng lớn thì tốc độ làm[r]

cao xuống thấp tPHL. Hai giá trị này thường khác nhau. Sự thay đổi trạng thái được xác định ở tín hiệu ra. Thí dụ tín hiệu qua một cổng đảo, thời trễ truyền được xác định như ở (H 3.14) Tùy theo họ IC, thời trễ truyền thay đổi tử vài ns đến vài trăm ns. Thời trễ truyền càng lớn thì tốc độ làm[r]

đến máng – transistor mởĐáp ứng hai vai trò:Linh kiện hai trạng tháiKhuyếch đạiTRANSISTOR VI ĐIỆN TỬNHỮNG TRỞ NGẠI ĐỂ THU NHỎ FET:•Điện trường cao, tạo nên “đánh thủng thác lũ” làm hỏng linh kiện•Tiêu tán nhiệt•Những tính chất giảm khối•Sự co lại của vùng nghèo => sự xuyên hầm của đ[r]

Transistor lưỡng cực
Nguyễn Quốc Cường
1
Transistor lưỡng cực
Bipolar Junction Transistor
Nguyễn Quốc Cường
Bộ môn 3I – ĐHBK HN
Transistor lưỡng cực
Nguyễn Quốc Cường
2
Giới thiệu
• BJT được phát minh vào năm 1948 tại Bell Telephone Lab
• MOSFET được biết đến trước BJT tuy nhiên chỉ được sử
dụng nhi[r]

Bài thuyết trình vi mạch Integrated Circuits (IC) Bài thuyết trình thường xuyên trong quá trình học đại học chuyên ngành điện tử (đêịn tử truyền thông)Nội dung bài thuyết trình Giới thiệu và định nghĩa Lịch sử Phân loại IC Digital Ưu điểm Quy trình chế tạo
Intergated Circuit - Viết tắt là IC, được[r]

Transistor lưỡng cựcNguyễn Quốc Cường9• Nếu nhìn từ các cực E,B,C ta có 3 dòng điện tương ứng là iE, iBvàiC– β: hệ số khuếch đại dòng emitter chung– α: hế số khuếch đại dòng base chung– Thường các hệ sốβ được chế tạo lớn (~ α gần 1)CBEBC BCEiiiii(1 )i1iiβββαβα==+= +=+

• Để đồng hồ thang x1Ω , đặt cố định một que đo vào từngchân , que kia chuyển sang hai chân còn lại, nếu kim lên = nhauthì chân có que đặt cố định là chân B, nếu que đồng hồ cố định là queđen thì là Transistor ngược, là que đỏ thì là Transistor thuận.. 3- Phương pháp kiểm tra Tr[r]

= 30%VDD Với nguồn 5V, lề nhiễu khỏang 1,5V, rất lớn so với họ TTL. - Thời trễ truyền tương đối lớn, khỏang vài chục ns, do điện dung ký sinh ở ngã vào và tổng trở ra của transistor khá lớn. - Công suất tiêu tán tương đối nhỏ, hàng nW, do dòng qua transistor MOS rất nhỏ. - Số Fan Out:[r]

5.2 - Định thiên ( phân cực ) cho Transistor .* Định thiên : là cấpmột nguồn điện vào chân B ( qua trở định thiên) để đặt Transistor vào trạng thái sẵn sànghoạt động, sẵn sàng khuyếch đại các tín hiệu cho dù rất nhỏ.* Tại sao phải định thiên cho Transistor nó mới sẵn sàng hoạt đ[r]

• Bước 3: Đo ngược giữa B và E kim lên = 0 Ω• => Bóng chập BE—————————————————————–Phép đo cho biết bóng bị đứt BE• Bước 1 : Chuẩn bị .• Bước 2 và 3 : Đo cả hai chiều giữa B và E kim không lên.• => Bóng đứt BE———————————————————Phép đo cho thấy bóng bị chập CE• Bước 1 : Chuẩn bị .• Bướ[r]

4.2 - Một số Transistor đặc biệt . * Transistor số ( Digital Transistor ) : Transistor số có cấu tạo như Transistor thường nhưng chân B được đấu thêm một điện trở vài chục KΩ [Type text] Sưu Tầm Bởi : http://daihoc.com.vn Transistor số thườn[r]