Cách khác để lm việc ny l đặt câu hỏi "nh thế no" khi di chuyển dọc theo chiều xuống hệ thống thứ bậc, v hỏi "tại sao" khi đi ngợc từ dới lên trên. Thông thờng một kế hoạch viết theo kiểu tờng thuật có thể đem lại cảm giác đầy đủ hơn, tuy nhiên khi đúc kết nó trong khung logic, có thể thấy nó lộ ra[r]
x x x m x x có nghiệm thực? PHẦN RIÊNG (3,0 điểm): Thí sinh chỉ được làm một trong hai phần (phần A hoặc phần B) A. Theo chương trình Chuẩn Câu 7.a (1,0 điểm). Trong mặt phẳng với hệ tọa độ Oxy cho đường thẳng :3 4 25 0x y∆ + − =, M là điểm di động trên ∆. Trên tia OM lấy điểm N sao cho . 1OM[r]
ẳng ' , 'A B CC theo a. Câu 6 (1,0 điểm). Tìm m để phương trình ()24 6 3 2 2 3+ − − = + + −x x x m x x có nghiệm thực? PHẦN RIÊNG (3,0 điểm): Thí sinh chỉ được làm một trong hai phần (phần A hoặc phần B) A. Theo chương trình Chuẩn Câu 7.a (1,0 điểm). Trong mặt phẳng với hệ tọa độ Oxy cho đường thẳng[r]
ẳng ' , 'A B CC theo a. Câu 6 (1,0 điểm). Tìm m để phương trình ()24 6 3 2 2 3+ − − = + + −x x x m x x có nghiệm thực? PHẦN RIÊNG (3,0 điểm): Thí sinh chỉ được làm một trong hai phần (phần A hoặc phần B) A. Theo chương trình Chuẩn Câu 7.a (1,0 điểm). Trong mặt phẳng với hệ tọa độ Oxy cho đường thẳng[r]
Đinh Quang Vinh _ ĐHSP HN BT chuyên đề Vật lý lớp 11Chuên đề: Điện trờng1. Chọn câu đúngA. Cờng độ điện trờng trong điện trờng của 1 điện tích dơng có giá trị dơng.B. Cờng độ điện trờng trong điện trờng của 1 điện tích âm có giá trị âm.C. Trong môi tr[r]
μo = 4π.10-7[H/m] : âäü tỉì tháøm ca khäng khê. μr =μ /μo : Âäü tỉì tháøm tỉång âäúi ca mảch tỉì. l[m] : Chiãưu di trung bçnh ca mảch tỉì. N: Säú vng dáy ca cün dáy. i[A]: gi l dng âiãûn tỉì họa, tảo ra tỉì thäng cho mảch tỉì. F = Ni [A.t]: gi l sỉïc tỉì âäüng (stâ) H.l : gi l tỉì ạp rå[r]
ĐĐĐĐĐĐĐĐại học khoa học tự nhiên ại học khoa học tự nhiên ại học khoa học tự nhiên ại học khoa học tự nhiên ại học khoa học tự nhiên ại học khoa học tự nhiên ại học khoa học tự nhiên ại học khoa học tự nhiên - - ĐĐĐĐĐĐĐĐại học quốc gia hà nộiại học[r]
cho thất các doanh nghiệp nớc ta nhập tràn lan MMTB. ở đâu không chỉ nói nhữngmáy móc thiết bị lạc hậu mà chỉ nói đến các máy móc thiết bị không phù hợp vớitrình độ của ngời lao động, dẫn đến tốn kém trong đầu t và lãng phí khi sử dụng vàkết quả là hiệu quả không đợc cao. Ngoài trình độ sử dụ[r]
trờng, công tác văn th bảo mật.Nhân viên điều hành : Gồm 1 ngời có chức năng nhiệm vụ sau:- Chuẩn bị các dịch vụ theo chơng trình đã ký với khách.- Thờng xuyên theo dõi các tour đang thực hiện.- Phối hợp với các nhân viên khác để xác định nhu cầu, địa điểm du lịch, dịch vụCác mảng công việc- Theo dõ[r]
òu tác dụng từ trường của trái đất. Trên cơ sở đó người ta đã chế tạo một dụng cụ xác đHình 5-11 có cấu trúc như sau: Dụng cụ gồm 2 thanh sắt từ đặt song song, trên có quấn 2 cuộn dây kiểu biến thế (hình 5-11). Cuộn sơ cấp (dây nhỏ) quấn trên 2 thanh sắt ngược chiều nhau và nối với một nguồn điện[r]
Kế hoạch chung triển khai thị trường phát điện cạnh tranh: 1. Xây dựng hệ thống các văn bản pháp lý phục vụ thị trường điện 2. Xây dựng hệ thống hạ tầng cơ sở công nghệ thông tin cho vận hành và giám sát hoạt động của thị trường điện 3. Đào tạo và phát triển nguồn nhân lực 4. Lập kế hoạch vận hành t[r]
I (mA) DIDSSVDS (volt) VGS = 0V VP (Pinch-off voltage) 0 Dòng điện bảo hòa thoát đổi không tuyến tính nguồn Vùng tuyở động thay Vùng bảo hòa Vùng điện tr≈ến tính vùng dòng đi
(3)x 2 + 1 + e x dxCâu 5 (1,0 điểm). Trong không gian với hệ tọa độ Oxyz, cho điểm I ( 7; 4; 6 ) và mặt phẳng( P ) : x + 2 y − 2 z + 3 = 0.Lập phương trình của mặt cầu (S) có tâm I và tiếp xúc với mặt phẳng (P). Tìmtọa độ tiếp điểm của (P) và (S)Câu 6 (1,0 điểm):a) Cho góc x : 0[r]
Báo cáo công tác phí hàng nămNămHọ tên:Địa chỉChức vụ Điện thoạiEmailThành phốKhu vực phụ tráchSản phẩm/NhómLập bởiThángĐiện thoạiĂn uốngĐi lạiKhách sạnVé vào cửaChi phí khácTổngTháng 1Tháng 2Tháng 3Tổng quý 1Tháng 4
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử CHƯƠTRANSISTOR TRƯỜNG ỨNG (FIELD EFFECT TRANSISTOR) Chúng ta đã khảo sát qua transistor thường, được gọi là transistor lưỡng cực vì sự dẫn đ ện của nó dựa vào hai loại hạt tải đ ện đa số trong vùng phát và hạt tải điện thiểu số trong vùng nền. Ở transistor NPN, hạ[r]
I (mA) DIDSSVDS (volt) VGS = 0V VP (Pinch-off voltage) 0 Dòng điện bảo hòa thoát đổi không tuyến tính nguồn Vùng tuyở động thay Vùng bảo hòa Vùng điện tr≈ến tính vùng dòng đi