MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951 CHƯƠNG 2 POT

Tìm thấy 10,000 tài liệu liên quan tới tiêu đề "MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951 CHƯƠNG 2 POT":

mạch ghi đọc eprom cho vi điều khiển 8951, chương 2 pot

MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951 CHƯƠNG 2 POT

chhưưùùccbbooäännhhơơùù::Bảng tóm tắt các vùng nhớ 8951.Bộ nhớ trong 8951 bao gồm EPROM và RAM. RAM trong 8951 bao gồm nhiều thành phần: phần lưu trữ đa dụng, phần lưu trữ đòa chỉ hóa từng bit, các bank thanh ghi và các thanh ghi

5 Đọc thêm

mạch ghi đọc eprom cho vi điều khiển 8951, chương 12 ppt

MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951 CHƯƠNG 12 PPT

ooááđđòònnhhEEPPRROOMM:: EPROM 1: Có đòa chỉ từ 0000H – 1FFFH (8KB), chứa chương trình hệ thống điều khiển tất cả các quá trình hoạt động của máy. EPROM 2: Có đòa chỉ từ 2000H – 3FFFH (8KB), chứa chương trình ứng dụng cho mạch ghi đọc EPROM.Giới thiệu kit vi điều khiển 8951

5 Đọc thêm

Thiết kế mạch ghi - đọc EPROM cho Vi Điều Khiển 8951, chương 9

THIẾT KẾ MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951 CHƯƠNG 9

ccooááđđòònnhhEEPPRROOMM EPROM 1: Có đòa chỉ từ 0000H – 1FFFH (8KB), chứa chương trình hệ thống điều khiển tất cả các quá trình hoạt động của máy. EPROM 2: Có đòa chỉ từ 2000H – 3FFFH (8KB), chứa chương trình ứng dụng cho mạch ghi đọc EPROM.2

9 Đọc thêm

mạch ghi đọc eprom cho vi điều khiển 8951, chương 1 potx

MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951 CHƯƠNG 1 POTX

P3.3 INT1\ Ngõ vào ngắt cứng thứ 1P3.4 T0 Ngõ vào củaTIMER/COUNTER thứ 0.P3.5 T1 Ngõ vào củaTIMER/COUNTER thứ 1.P3.6 WR\ Tín hiệu ghi dữ liệu lên bộ nhớ ngoàiP3.7 RD\ Tín hiệu đọc bộ nhớ dữ liệu ngoài.b.Các ngõ tín hiệu điều khiển:Ngõ tín hiệu PSEN (Program store enable):PSEN là tín hiệu ngõ[r]

5 Đọc thêm

Thiết kế mạch ghi - đọc EPROM cho Vi Điều Khiển 8951, chương 3

THIẾT KẾ MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951 CHƯƠNG 3

Meemmoorryy))Bộ nhớ dữ liệu ngoài là một bộ nhớ RAM được đọc hoặc ghi khi được cho phép của tín hiệu RD\ và WR. Hai tín hiệu này nằm ở chân P3.7 (RD) và P3.6 (WR). Lệnh MOVX được dùng để truy xuất bộ nhớ dữ liệu ngoài và dùng một bộ đệm dữ liệu 16 bit (DPTR), R0 hoặc R1 như là một thanh ghi đ[r]

7 Đọc thêm

mạch ghi đọc eprom cho vi điều khiển 8951, chương 10 pdf

MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951, CHƯƠNG 10 PDF

MOV A,DPLCJNZ A,#LOW (XBUFFER=LENGTH+1),LOOPMOV A,DPHCJNZ A,HIGH (XBUFFER=XLENGTH+1),LOOP(Continue)Nếu so sánh hai cách dùng trên dành cho byte thấp và byte cao DPTR, Vì lệnh CJNZ chỉ làm nhiệm vụ đối với thanh ghi A hoặc Khảo sát vi điều khiển 8951thanh ghi Rn, do đó byte thấp hoặc byte cao[r]

11 Đọc thêm

mạch ghi đọc eprom cho vi điều khiển 8951, chương 4 pot

MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951 CHƯƠNG 4 POT

DaattaaMMeemmoorryy))::Bộ nhớ dữ liệu ngoài là một bộ nhớ RAM được đọc hoặc ghi khi được cho phép của tín hiệu RD\ và WR. Hai tín hiệu này nằm ở chân P3.7 (RD) và P3.6 (WR). Lệnh MOVX được dùng 8051EPROMPort 0Port 0 D0-D7

8 Đọc thêm

mạch ghi đọc eprom cho vi điều khiển 8951, chương 3 pptx

MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951 CHƯƠNG 3 PPTX

eeggiisstteerr))::8951 chứa một Port nối tiếp cho việc trao đổi thông tin với các thiết bò nối tiếp như máy tính, modem hoặc giao tiếp nối tiếp với các IC khác. Một thanh ghi đệm dữ liệu nối tiếp (SBUF) ở đòa chỉ 99H sẽ giữ cả hai dữ liệu truyền và dữ liệu nhập. Khi truyền dữ liệu ghi lên SBU[r]

8 Đọc thêm

Thiết kế mạch ghi - đọc EPROM cho Vi Điều Khiển 8951, chương 4

THIẾT KẾ MẠCH GHI - ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951, CHƯƠNG 4

ssiinngg))::Sự đònh đòa chỉ trực tiếp có thể truy xuất bất kỳ giá trò nào trên Chip hoặc thanh ghi phần cứng trên Chip. Một byte đòa chỉ Opcode n n ntrực tiếp được đưa vào Opcode để đònh rõ vò trí được dùng như sau:Direct AddressingTùy thuộc các bit bậc cao của đòa chỉ trực tiếp mà một trong 2

9 Đọc thêm

Thiết kế mạch ghi - đọc EPROM cho Vi Điều Khiển 8951, chương 8

THIẾT KẾ MẠCH GHI - ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951, CHƯƠNG 8

mmCClloocckk::+ Mã OO 1 P P P P PKhảo sát vi mạch 8279+ Lệnh này có chức năng chia tần số xung clock ở ngõ vào clk ở chân số 3, các bit PPPPP dùng để xác đònh số chia nằm trong khoảng từ 2 đến 30, tần số hoạt động của mạch quét hiển thò và chóng dội của 8279 thường là 100 Khz, nếu tần số ở ng[r]

6 Đọc thêm

Thiết kế mạch ghi - đọc EPROM cho Vi Điều Khiển 8951, chương 7

THIẾT KẾ MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951 CHƯƠNG 7

)Các chỉ thò của Storage Initilization khởi gán và Storage Reservation để dành một vùng nhớ trong từ, byte hoặc các đơn vò bit. Vùng được dành trước khi bắt đầu tại vùng nhớ được chỉ rõ bởi giá trò hiện hành của bộ đếm vùng nhớ trong segment tích cực đang hiện hành. Các chỉ thò này có thể đứng trước[r]

11 Đọc thêm

mạch ghi đọc eprom cho vi điều khiển 8951, chương 5 ppt

MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951 CHƯƠNG 5 PPT

::Sự đònh đòa chỉ trực tiếp có thể truy xuất bất kỳ giá trò nào trên Chip hoặc thanh ghi phần cứng trên Chip. Một byte đòa chỉ trực tiếp được đưa vào Opcode để đònh rõ vò trí được dùng như sau:Opcode n n nDirect AddressingTùy thuộc các bit bậc cao của đòa chỉ trực tiếp mà một trong 2 vùng nhớ[r]

6 Đọc thêm

80c51 pdf

80C51 PDF

reset hệ thống và sẽ được cho phép bằng việc ghi thanh ghi cho phép ngắt (IE) ởđòa chỉ A8H. Cả hai được đòa chỉ hóa từng bit. HỌ VI ĐIỀU KHIỂN 80C51 PHẠM TRUNG HIẾUTrang 12 TRƯỜNG ĐẠI HỌC KỸ THUẬT CƠNG NGHỆ TP.HCMUNIVERSITY OF TECHNOLOGY• Thanh ghi điều khiển nguồn PCON (Power Control Register):- Th[r]

146 Đọc thêm

80c51 doc

80C51 DOC

reset hệ thống và sẽ được cho phép bằng việc ghi thanh ghi cho phép ngắt (IE) ở đòa chỉ A8H. Cả hai được đòa chỉ hóa từng bit. HỌ VI ĐIỀU KHIỂN 80C51 PHẠM TRUNG HIẾUTrang 12 TRƯỜNG ĐẠI HỌC KỸ THUẬT CƠNG NGHỆ TP.HCMUNIVERSITY OF TECHNOLOGY• Thanh ghi điều khiển nguồn PCON (Power Control Register):- T[r]

146 Đọc thêm

mạch ghi đọc eprom cho vi điều khiển 8951, chương 11 pptx

MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951 CHƯƠNG 11 PPTX

loocckk::+ Mã OO 1 P P P P P+ Lệnh này có chức năng chia tần số xung clock ở ngõ vào clk ở chân số 3, các bit PPPPP dùng để xác đònh số chia nằm trong khoảng từ 2 đến 30, tần số hoạt động của mạch quét hiển thò và chóng dội của 8279 thường là 100 Khz, nếu tần số ở ngõ vào là 2Mhz thì p[r]

8 Đọc thêm

Khảo sát sơ đồ chắn 8951chức năng từng chân trong mạch part3 pot

KHẢO SÁT SƠ ĐỒ CHẮN 8951CHỨC NĂNG TỪNG CHÂN TRONG MẠCH PART3 POT

 Thanh ghi điều khiển nguồn PCON (Power Control Register): - Thanh ghi PCON không có bit đònh vò. Nó ở đòa chỉ 87H chứa nhiều bit điều khiển. Thanh ghi PCON được tóm tắt như sau:  Bit 7 (SMOD) : Bit có tốc độ Baud ở mode 1, 2, 3 ở Port nối tiếp khi set.  Bit 6, 5, 4 : Không có đòa chỉ. Lu[r]

10 Đọc thêm

mạch ghi đọc eprom cho vi điều khiển 8951, chương 8 ppt

MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951, CHƯƠNG 8 PPT

thò ORG (đặt Origin).Cũng như file được xem xét, bộ đếm Location được tăng lên bằng độ dài mỗi lệnh.Chỉ thò data đònh nghóa (đặc biệt hoặc DW) tăng bộ đếm Location bằng với số byte đònh rõ, các chỉ thò nhớ lưu trữ (DSO tăng bộ đếm Location bởi số byte dự trữ). Mỗi lần một nhãn được tìm thấy ở sự bắt[r]

7 Đọc thêm

Thiết kế mạch ghi - đọc EPROM cho Vi Điều Khiển 8951, chương 10

THIẾT KẾ MẠCH GHI - ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951, CHƯƠNG 10

EPPRROOMMnnooääii::Vi điều khiển AT89C51 được tung ra thò trường với mảng bộ nhớ bên trong rỗng (nghóa là nội dung =FFH) và sẵn sàng được lập trình. Chương trình nạp EPROM nội sẽ được lập trình một trong hai mức điện áp 12v hoặc 5v.Vậy để xác đònh mức điện áp lập trình ta đọc signature tại cá[r]

10 Đọc thêm

Thiết kế mạch ghi - đọc EPROM cho Vi Điều Khiển 8951, chương 2

THIẾT KẾ MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951 CHƯƠNG 2

aaáátt::RS1 và RS0 quyết đònh dãy thanh ghi tích cực. Chúng được xóa sau khi reset hệ thống và được thay đổi bởi phần mềm khi cần thiết. Tùy theo RS1, RS0 = 00, 01, 10, 11 sẽ được chọn Bank tích cực tương ứng là Bank 0, Bank1, Bank2, Bank3.RS1 RS0 BANK0 0 00 1 11 0 21 1 3CCơơøøttrraa

9 Đọc thêm

mạch ghi đọc eprom cho vi điều khiển 8951, chương 7 pptx

MẠCH GHI ĐỌC EPROM CHO VI ĐIỀU KHIỂN 8951 CHƯƠNG 7 PPTX

õlliieeääuu::Các lệnh dòch chuyển dữ liệu trong những vùng nhớ nội thực thi 1 hoặc 2 chu kỳ máy. Mẫu lệnh MOV <destination>, <source> cho phép di chuyển dữ liệu bất kỳ 2 vùng nhớ nào của RAM nội hoặc các vùng nhớ của các thanh ghi chức năng đặc biệt mà không[r]

6 Đọc thêm