cũng ổn định. Ðể thấy rõ sự ổn định này ta để ý: Dòng điện này độc lập đối với β2 và có thể xem như độc lập đối với β1 nếu ta chọn: thay đổi theo nhiệt độ và dòng IC2, nhưng ảnh hưởng này sẽ được giảm thiểu nếu ta chọn Về thông số của mạch khuếch đại cách tính cũng như mạch trướ[r]
- Dễ sử dụng. - Dễ tạo mạch công suất. Nhưng mạch đơn cực sẽ làm phát sinh một số vấn đề mới: - Làm mất cân bằng tầng vi sai, nên hai điện trở RC của tầng vi sai đôi khi phải có trị số khác nhau để bù trừ cho sự mất cân bằng. - Làm tăng cả AVS và AC nên (1 có thể thay đổi, do đó ch[r]
E - VD - VR = 0 Tức E = VD + RID (1.2)Trương Văn Tám I-1 Mạch Điện Tử Chương 1: Mạch Diode Phương trình này xác định điểm làm việc của diode tức điểm điều hành Q, được gọi là phương trình đường thẳng lấy điện. Giao điểm của đường thẳng này với đặc tuyến của diode ID = f(VD) là đ[r]
có thể tính bằng: Trong cách tính phân cực này, ta thấy không có sự hiện diện của hệ số β. Ðiểm tĩnh điều hành Q được xác định bởi IC và VCE như vậy độc lập với β. Ðây là một ưu điểm của mạch phân cực với điện trở cực phát RE vì hệ số β rất nhạy đối với nhiệt độ mặc dù khi có RE độ khuếch đạ[r]
GS = 7.32v Người ta cũng có thể dùng FET như một nguồn dòng điện để ổn định phân cực cho BJT như ở hình 3.17. Sinh viên thử phân giải để xác định VC, VD của mạch. 3.5 THIẾT KẾ MẠCH PHÂN CỰC DÙNG FET: Công việc thiết kế mạch phân cực dùng FET thật ra không chỉ giới hạn ở các[r]
L đối với kiểu mẩu 2 cổng. (xem hình 4.5) Áp dụng công thức cầu chia điện thế ở mạch ngõ ra ta có: Trương Văn Tám IV-2 Mạch Điện Tử Chương 4: Ảnh hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải Tuy Ri thay đổi tùy theo dạng mạch, nhưng dòng điện ngõ vào luôn luôn được xác định[r]
Hi H0 Ngoài ra vì hfe (hay β) cũng giảm khi tần số tăng nên cũng phải được xem là một yếu tố để xác định tần số cắt cao của mạch ngoài fHi và fH0. 5.7.2 Sự biến thiên của hfe (hay β) theo tần số: Ta chấp nhận sự biến thiên của hfe (hay β) theo tần số bằng hệ thức: người ta thường dùng m[r]
d trong hình 8.10 được nhân với A khi qua mạch khuếch đại, được nhân với β khi truyền qua hệ thống hồi tiếp và được nhân với -1 trong mạch trộn và trở lại ngõ vào. Vì vậy T = -βA được gọi là độ lợi vòng và đại lượng F = 1 + βA = 1 - T được gọi là thừa số hồi tiếp. Người ta thường dùng[r]
2, I1, I2 lần lượt là số vòng quấn, điện thế tín hiệu xoay chiều, dòng điện tín hiệu xoay chiều của cuộn sơ cấp và thứ cấp. Ta có: Trương Văn Tám IX-6 Mạch Điện Tử Chương 9: Mạch khuếch đại công suất Như vậy có thể xem như điện trở tải phản chiếu qua cuộn sơ cấp là: . Ðườn[r]
Nếu βAv >> 1 (đúng điều kiện pha) thì mạch dao động đạt ổn định nhanh nhưng dạng sóng méo nhiều (thiên về vuông) còn nếu βAv > 1 và gần bằng 1 thì mạch đạt đến độ ổn định chậm nhưng dạng sóng ra ít méo. Còn nếu βAv < 1 thì mạch không dao động được. 1[r]
Mạch Điện Tử 2Cơ bản về khuếch đại thuật toán Tài liệu tham khảo bổ sungAlbert Paul Malvino, “Electronic Principles, 6th Edition,” McGraw-Hill, chapter 18 – 23. Op-Amp (1)Là viết tắt của từ: Operational Amplifier.Được sử dụng để thực hiện các phép toán trong miền tương tự (ana[r]
Mạch Điện Tử 2Khuếch đại công suất tuyến tính âm tần (Kđại csuất lớp A CE, Kđại csuất ghép biến áp)Nội dungGiới thiệuKhuếch đại công suất lớp A kiểu chung cực E (common-emitter)Mạch khuếch đại ghép biến áp (transformer-coupled)Khuếch đại công suất đẩy kéo (push-pull) lớp BMụ[r]
Mạch Điện Tử 2Các mạch khuếch đại lớp C, D, E, F, G, H, TNội dungGiới thiệuKhuếch đại công suất lớp A kiểu chung cực E (common-emitter)Mạch khuếch đại ghép biến áp (transformer-coupled)Khuếch đại công suất đẩy kéo (push-pull) lớp BCác mạch khuếch đại lớp C, D,[r]
1Mạch Điện Tử 2Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại ghép RC(GBW, Khóa Transistor)2Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại ghép RC: nội dungBJT ở tần số caoFET ở tần số caoMạch khuếch đại RC ghép liên tầngTích số độ lợi-băng thông (GBW)Khóa transistor3Tích số[r]
1Mạch Điện Tử 2Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại ghép RC2Hiện tượng: Đáp ứng tần số của một mạch kđ – Miền thời gian (1)Nguồn dòng Isin3Hiện tượng : Đáp ứng tần số của một mạch kđ – Miền thời gian (2) Ti me0s 0. 5ms 1. 0msI ( I i n) I C( Q1)- 4. 0mA0A4. 0mA8.[r]
1Mạch Điện Tử 2Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại ghép RC(FET ở tần số cao, ghép liên tầng)2Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại ghép RC: nội dungBJT ở tần số caoFET ở tần số caoMạch khuếch đại RC ghép liên tầngTích số độ lợi-băng thông (GBW)Khóa transis[r]
Mạch Điện Tử 2Khuếch đại cộng hưởng (2)Các mạch cộng hưởng nối tiếpỞ tần số > 50MHz, mạch cộng hưởng song song có Q rất thấp => băng thông rộng.Mạch cộng hưởng nối tiếp cho hệ số phẩm chất Q cao hơn ở tần số cao với trị số chấp nhận được của điện cảm.[r]
1Mạch Điện Tử 2Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại ghép RC2Hiện tượng: Đáp ứng tần số của một mạch kđ – Miền thời gian (1)Nguồn dòng Isin3Hiện tượng : Đáp ứng tần số của một mạch kđ – Miền thời gian (2) Ti me0s 0. 5ms 1. 0msI ( I i n) I C( Q1)- 4. 0mA0A4. 0mA8.[r]