BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS 20

CHAPTER 2: Characteristics of Bipolar Junction Transistor Val de Loire Program p.31 CHAPTER 2: CHARACTERISTICS OF BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR Table of Contents 2.1. BJT CONSTRUCTION AND SYMBOLS 32 2.2. COMMON-EMITTER TERMINAL CHARACTERISTICS 33 2.3. CURRENT RELATIONSHIP[r]

Điện tử cơ bảnCh. 3 Transistor lưỡng cực nối(Bipolar junction Transistor)I. Cấu tạo• Gồm 2 nối tiếp xúc ghép xen kẽ nhau.• Có 2 loại Transistor nối: npn và pnp (h. 1)•C C C C• n p• B B B B• p n• n p• E E E Eloại npn loại pnpSự phân bố điện tích cân bằng nhiệt độngn p n- - - - + + + - -[r]

b. Đặc tuyến ra IC= f ( VCE ) IB=Ctevg bảo hoà vùng tác độngIC ( mA) 60uA6 IB= 50uA40uA4 QB30uAQA20uA2 10uA0uA0 5 10 15 20 25 VCE (V)vùng ngưng ( cut off)C. Đặc tuyến truyền IC = f ( IB) VCE= CteIc ( mA)• Trong dãi thay đổinhõ của IB,IC thay đổituyến tính. • Khi dòng IB lớn , IC

QVV VAVV V       Phân giải bằng đồ thị iC ( mA) iB (uA)6 IB= 60uA 60ic4 40 40 ibICQ Q IBQ Q2 20 200,680 5 10 15 20 vCE 0,65 V

TRANG 1 CÁC KIỂU HOẠT ĐỘNG TRÊN KHƠNG SỬ DỤNG RIÊNG BIỆT MÀ KẾT HỢP NHAU TRONG HOẠT ĐỘNG GIAO HỐN CHUYỂN MẠCH • IC • Q1 TRANG 2 3.PHÂN CỰC THUẬN EB, PHÂN CỰC NGHỊCH CB: DO TÁC ĐỘNG CỦA [r]

Nhận xét• Độ lợi dòng(độ khuếch đại) rất lớn ( 20 – 500)• Dòng rĩ rất bé ở nhiệt độ bình thường nhưng lại tăng nhanh theo nhiệt độ .• Ở nhiệt độ bình thường ( nhiệt độ trong phòng),ta còn lại biểu thức đơn giản :IC= IB( 6)• Tổng quát ta có thể sử dụng (1) và (6) trong các phép tính phân giãi[r]

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)Nguyên lý hoạt độngENECIEBIBBJT(BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)Nguyên lý hoạt độngENICBOCICBBJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

38 CHƯƠNG 3 : CÔNG SUẤT BÁN DẪN Đề cương học tập 3.1 Giới thiệu : 3.2 Các bán dẫn nối lưỡng cực công suất (BJT = bipolar junction transistor) 3.2.1 Đặc tính vôn-ampe BJT 3.2.2 Thế hiệu dòch của bóng bán dẫn 3.2.3 Tổn hao công suâ(t trong BJT 3.2.4 Kiểm tra một bóng bán dẫn 3.2.5[r]

_Biến đổi năng lượng ánh sáng thành dòng điện
_Tuyến tính
_Nhạy cảm hơn điện trở quang
Điode quang làm việc như thế nào ?
Ứng dụng của diode quang :
Phototransistor (transistor quang)
Đầu cực gốc của một BJT(Bipolar junction tranzitor – tranzitor lưỡng cực ) được thay thế bằng một bề mặt nhạy cảm v[r]

efficient full adder cell based on carbon nanotube technology. NanoMicro Letters 2010, 114:120.15. Khatir A, Abdolahzadegan Sh, Mahmoudi I: High speed multiple valuedlogic full adder using carbon nano tube field effect transistor. VLSICS2011.16. Deng J, Wong H-SP: A compact SPICE model for carbon-na[r]

1.08 J/cm2(laser transmitted power from 10 to 75 μW), asmeasured by a power meter. The surface of the sample ismonitored in real time using the same objective that focusesthe laser beam. Compared with continuous or nanosecondQ-switched lasers, a femtosecond pulse laser provides an ultrashortpulse-wi[r]

This commentary grows out of an interdisciplinary workshop focused on controversies surrounding the diagnosis and treatment of bipolar disorder (BP) in children. Although debate about the occurrence and frequency of BP in children is more than 50 years old, it increased in the mid 1990s when researc[r]

The phenomenon of bipolar affective disorder has been a mysterysince the 16th century. History has shown that this affliction can appearin almost anyone. Even the great painter Vincent Van Gogh is believedto have had bipolar disorder. It is clear that in our society many peoplelive wit[r]

1.08 J/cm2(laser transmitted power from 10 to 75 μW), asmeasured by a power meter. The surface of the sample ismonitored in real time using the same objective that focusesthe laser beam. Compared with continuous or nanosecondQ-switched lasers, a femtosecond pulse laser provides an ultrashortpulse-wi[r]

mqi@purdue.edu.Received for review October 12, 2010and accepted December 23, 2010.Published online10.1021/nn102723wABSTRACT Transistors based on various types of nonsilicon nanowires have shown greatpotential for a variety of applications, especially for those that require transparency and lo[r]

fantastical virtual worlds that are inhabited by single players who create their own characters and form networksor guilds with other players within games to achievecommon goals, fight enemies, live and work in communities, and accumulate points with which they buy skills,weapons, or other accessori[r]

NanogeneratorabstractWe fabricated an alternative nanogenerator device with distinguished structure. Representative piezo-electric materials of ZnO nanowires and PZT thin films were tried to be combined to form a hetero-junc-tion structure for fabrication of an alternative nanogenerator device to pos[r]

NANO EXPRESSHigh-Temperature Stable Operation of Nanoribbon Field-EffectTransistorsChang-Young Choi•Ji-Hoon Lee•Jung-Hyuk Koh•Jae-Geun Ha•Sang-Mo Koo•Sangsig KimReceived: 29 June 2010 / Accepted: 19 July 2010 / Published online: 3 August 2010Ó The Author(s) 2010. This article is published with open[r]

(0.01 M) ?The overall reaction for this electrode isThis reaction cannot be found in tables of reduction potentials. But the reaction is comprised of two componentsElectrode PotentialsWe can initially ignore the fact that the electrode contains AgI and find E for the silver ion reduction.Electrode P[r]

Enhancement-Mode Metal Organic Chemical Vapor Deposition-GrownZnO Thin-Film Transistors on Glass Substrates Using N2O Plasma TreatmentKariyadan Remashan, Yong-Seok Choi1, Se-Koo Kang2, Jeong-Woon Bae2,Geun-Young Yeom2, Seong-Ju Park1, and Jae-Hyung JangÃDepartment of Information and Communica[r]