BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS 20

Tìm thấy 10,000 tài liệu liên quan tới từ khóa "BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS 20":

Chapter 2 characteristics of bipolar junction transistor

CHAPTER 2 CHARACTERISTICS OF BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

CHAPTER 2: Characteristics of Bipolar Junction Transistor Val de Loire Program p.31 CHAPTER 2: CHARACTERISTICS OF BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR Table of Contents 2.1. BJT CONSTRUCTION AND SYMBOLS 32 2.2. COMMON-EMITTER TERMINAL CHARACTERISTICS 33 2.3. CURRENT RELATIONSHIP[r]

9 Đọc thêm

Điện tử học : Transistor lưỡng cực nối (Bipolar junction Transistor) part 1 pptx

ĐIỆN TỬ HỌC : TRANSISTOR LƯỠNG CỰC NỐI (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR) PART 1 PPTX

Điện tử cơ bảnCh. 3 Transistor lưỡng cực nối(Bipolar junction Transistor)I. Cấu tạo• Gồm 2 nối tiếp xúc ghép xen kẽ nhau.• Có 2 loại Transistor nối: npn và pnp (h. 1)•C C C C• n p• B B B B• p n• n p• E E E Eloại npn loại pnpSự phân bố điện tích cân bằng nhiệt độngn p n- - - - + + + - -[r]

6 Đọc thêm

Điện tử học : Transistor lưỡng cực nối (Bipolar junction Transistor) part 4 ppt

ĐIỆN TỬ HỌC TRANSISTOR LƯỠNG CỰC NỐI BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR PART 4 PPT

b. Đặc tuyến ra IC= f ( VCE ) IB=Ctevg bảo hoà vùng tác độngIC ( mA) 60uA6 IB= 50uA40uA4 QB30uAQA20uA2 10uA0uA0 5 10 15 20 25 VCE (V)vùng ngưng ( cut off)C. Đặc tuyến truyền IC = f ( IB) VCE= CteIc ( mA)• Trong dãi thay đổinhõ của IB,IC thay đổituyến tính. • Khi dòng IB lớn , IC

6 Đọc thêm

Điện tử học : Transistor lưỡng cực nối (Bipolar junction Transistor) part 5 docx

ĐIỆN TỬ HỌC TRANSISTOR LƯỠNG CỰC NỐI BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR PART 5 DOCX

QVV VAVV V       Phân giải bằng đồ thị iC ( mA) iB (uA)6 IB= 60uA 60ic4 40 40 ibICQ Q IBQ Q2 20 200,680 5 10 15 20 vCE 0,65 V

6 Đọc thêm

Điện tử học : Transistor lưỡng cực nối (Bipolar junction Transistor) part 2 ppsx

ĐIỆN TỬ HỌC TRANSISTOR LƯỠNG CỰC NỐI BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR PART 2 PPSX

TRANG 1 CÁC KIỂU HOẠT ĐỘNG TRÊN KHƠNG SỬ DỤNG RIÊNG BIỆT MÀ KẾT HỢP NHAU TRONG HOẠT ĐỘNG GIAO HỐN CHUYỂN MẠCH • IC • Q1 TRANG 2 3.PHÂN CỰC THUẬN EB, PHÂN CỰC NGHỊCH CB: DO TÁC ĐỘNG CỦA [r]

6 Đọc thêm

Điện tử học : Transistor lưỡng cực nối (Bipolar junction Transistor) part 3 doc

ĐIỆN TỬ HỌC : TRANSISTOR LƯỠNG CỰC NỐI (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR) PART 3 DOC

Nhận xét• Độ lợi dòng(độ khuếch đại) rất lớn ( 20 – 500)• Dòng rĩ rất bé ở nhiệt độ bình thường nhưng lại tăng nhanh theo nhiệt độ .• Ở nhiệt độ bình thường ( nhiệt độ trong phòng),ta còn lại biểu thức đơn giản :IC= IB( 6)• Tổng quát ta có thể sử dụng (1) và (6) trong các phép tính phân giãi[r]

6 Đọc thêm

CHƯƠNG 9: LINH KIỆN TRANSISTOR (BJT)

CHƯƠNG 9: LINH KIỆN TRANSISTOR (BJT)

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)Nguyên lý hoạt độngENECIEBIBBJT(BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)Nguyên lý hoạt độngENICBOCICBBJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

11 Đọc thêm

Chương 3: Công suất bàn dẫn docx

CHƯƠNG 3: CÔNG SUẤT BÀN DẪN DOCX

38 CHƯƠNG 3 : CÔNG SUẤT BÁN DẪN Đề cương học tập 3.1 Giới thiệu : 3.2 Các bán dẫn nối lưỡng cực công suất (BJT = bipolar junction transistor) 3.2.1 Đặc tính vôn-ampe BJT 3.2.2 Thế hiệu dòch của bóng bán dẫn 3.2.3 Tổn hao công suâ(t trong BJT 3.2.4 Kiểm tra một bóng bán dẫn 3.2.5[r]

3 Đọc thêm

Photodiode diode quang transistor quang cơ bản

PHOTODIODE DIODE QUANG TRANSISTOR QUANG CƠ BẢN

_Biến đổi năng lượng ánh sáng thành dòng điện
_Tuyến tính
_Nhạy cảm hơn điện trở quang
Điode quang làm việc như thế nào ?
Ứng dụng của diode quang :
Phototransistor (transistor quang)
Đầu cực gốc của một BJT(Bipolar junction tranzitor – tranzitor lưỡng cực ) được thay thế bằng một bề mặt nhạy cảm v[r]

12 Đọc thêm

Báo cáo hóa học: "Two novel low-power and high-speed dynamic carbon nanotube full-adder cells" pdf

BÁO CÁO HÓA HỌC: "TWO NOVEL LOW-POWER AND HIGH-SPEED DYNAMIC CARBON NANOTUBE FULL-ADDER CELLS" PDF

efficient full adder cell based on carbon nanotube technology. NanoMicro Letters 2010, 114:120.15. Khatir A, Abdolahzadegan Sh, Mahmoudi I: High speed multiple valuedlogic full adder using carbon nano tube field effect transistor. VLSICS2011.16. Deng J, Wong H-SP: A compact SPICE model for carbon-na[r]

7 Đọc thêm

selective contact anneal effects on indium oxide nanowire transistors using femtosecond laser

SELECTIVE CONTACT ANNEAL EFFECTS ON INDIUM OXIDE NANOWIRE TRANSISTORS USING FEMTOSECOND LASER

1.08 J/cm2(laser transmitted power from 10 to 75 μW), asmeasured by a power meter. The surface of the sample ismonitored in real time using the same objective that focusesthe laser beam. Compared with continuous or nanosecondQ-switched lasers, a femtosecond pulse laser provides an ultrashortpulse-wi[r]

7 Đọc thêm

CONTROVERSIES CONCERNING THE DIAGNOSIS AND TREATMENT OF BIPOLAR DISORDER IN CHILDREN

CONTROVERSIES CONCERNING THE DIAGNOSIS AND TREATMENT OF BIPOLAR DISORDER IN CHILDREN

This commentary grows out of an interdisciplinary workshop focused on controversies surrounding the diagnosis and treatment of bipolar disorder (BP) in children. Although debate about the occurrence and frequency of BP in children is more than 50 years old, it increased in the mid 1990s when researc[r]

Đọc thêm

drug and clinical treatments for bipolar disorder

DRUG AND CLINICAL TREATMENTS FOR BIPOLAR DISORDER

The phenomenon of bipolar affective disorder has been a mysterysince the 16th century. History has shown that this affliction can appearin almost anyone. Even the great painter Vincent Van Gogh is believedto have had bipolar disorder. It is clear that in our society many peoplelive wit[r]

4 Đọc thêm

SELECTIVE CONTACT ANNEAL EFFECTS ON INDIUM OXIDE NANOWIRE TRANSISTORS USING FEMTOSECOND LASER

SELECTIVE CONTACT ANNEAL EFFECTS ON INDIUM OXIDE NANOWIRE TRANSISTORS USING FEMTOSECOND LASER

1.08 J/cm2(laser transmitted power from 10 to 75 μW), asmeasured by a power meter. The surface of the sample ismonitored in real time using the same objective that focusesthe laser beam. Compared with continuous or nanosecondQ-switched lasers, a femtosecond pulse laser provides an ultrashortpulse-wi[r]

7 Đọc thêm

CONTROL OF CURRENT SATURATION AND THRESHOLD VOLTAGE SHIFT IN INDIUM OXIDE NANOWIRE TRANSISTORS WITH FEMTOSECOND LASER ANNEALING

CONTROL OF CURRENT SATURATION AND THRESHOLD VOLTAGE SHIFT IN INDIUM OXIDE NANOWIRE TRANSISTORS WITH FEMTOSECOND LASER ANNEALING

mqi@purdue.edu.Received for review October 12, 2010and accepted December 23, 2010.Published online10.1021/nn102723wABSTRACT Transistors based on various types of nonsilicon nanowires have shown greatpotential for a variety of applications, especially for those that require transparency and lo[r]

7 Đọc thêm

INTERNET GAMING ADDICTION

INTERNET GAMING ADDICTION

fantastical virtual worlds that are inhabited by single players who create their own characters and form networksor guilds with other players within games to achievecommon goals, fight enemies, live and work in communities, and accumulate points with which they buy skills,weapons, or other accessori[r]

6 Đọc thêm

enhanced charge generation of the zno nanowirespzt hetero-junction based

ENHANCED CHARGE GENERATION OF THE ZNO NANOWIRESPZT HETERO-JUNCTION BASED

NanogeneratorabstractWe fabricated an alternative nanogenerator device with distinguished structure. Representative piezo-electric materials of ZnO nanowires and PZT thin films were tried to be combined to form a hetero-junc-tion structure for fabrication of an alternative nanogenerator device to pos[r]

6 Đọc thêm

Báo cáo hóa học: " High-Temperature Stable Operation of Nanoribbon Field-Effect Transistors" pot

BÁO CÁO HÓA HỌC: " HIGH-TEMPERATURE STABLE OPERATION OF NANORIBBON FIELD-EFFECT TRANSISTORS" POT

NANO EXPRESSHigh-Temperature Stable Operation of Nanoribbon Field-EffectTransistorsChang-Young Choi•Ji-Hoon Lee•Jung-Hyuk Koh•Jae-Geun Ha•Sang-Mo Koo•Sangsig KimReceived: 29 June 2010 / Accepted: 19 July 2010 / Published online: 3 August 2010Ó The Author(s) 2010. This article is published with open[r]

5 Đọc thêm

Intro to Electroanalytical Chemistry pot

INTRO TO ELECTROANALYTICAL CHEMISTRY POT

(0.01 M) ?The overall reaction for this electrode isThis reaction cannot be found in tables of reduction potentials. But the reaction is comprised of two componentsElectrode PotentialsWe can initially ignore the fact that the electrode contains AgI and find E for the silver ion reduction.Electrode P[r]

19 Đọc thêm

Enhancement-Mode Metal Organic Chemical Vapor Deposition-Grown ZnO Thin-Film Transistors on Glass Substrates Using N2O Plasma Treatment docx

ENHANCEMENT MODE METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION GROWN ZNO THIN FILM TRANSISTORS ON GLASS SUBSTRATES USING N2O PLASMA TREATMENT DOCX

Enhancement-Mode Metal Organic Chemical Vapor Deposition-GrownZnO Thin-Film Transistors on Glass Substrates Using N2O Plasma TreatmentKariyadan Remashan, Yong-Seok Choi1, Se-Koo Kang2, Jeong-Woon Bae2,Geun-Young Yeom2, Seong-Ju Park1, and Jae-Hyung JangÃDepartment of Information and Communica[r]

7 Đọc thêm

Cùng chủ đề