ĐẶC TUYẾN CỦA BJT

Ảnh hưởng của nhiệt độ lên các đặc tuyến của BJT.. Điện dẫn truyền transconductance ...82 3.[r]

Đối với transistor Si, vùng hoạt động có VBE nằm trong khoảng 0,5-0,8V. Trong vùng này, đặc tuyến truyền có dạng hàm mũ. Ở vùng bão hoà, dòng I tăng nhanh khi VBE t ng xấp x ICBO. y cả trong vùng t động, khi VBE thay đổi một lư ỏ (từ dòng IB thạy đổi) thì dòng IC thay đổi một lượng khá[r]

IV. CÁC CÁCH RÁP TRANSISTOR VÀ ĐỘ LỢI DÒNG ĐIỆN 64 V. DÒNG ĐIỆN RỈ TRONG TRANSISTOR. 66 VI. ĐẶC TUYẾN V-I CỦA TRANSISTOR 67 1. Mắc theo kiểu cực nền chung: 68 2. Mắc theo kiểu cực phát chung. 69 3. Ảnh hưởng của nhiệt độ lên các đặc tuyến của BJT. 72 VII. ĐIỂM ĐIỀU HÀNH –[r]

BE t ng xấp x ICBO. y cả trong vùng t động, khi VBE thay đổi một lư ỏ (từ dòng IB thạy đổi) thì dòng IC thay đổi một lượng khá lớn. Vì thế, trong các ứng dụng, người ta dùng điện thế cực nền VB điện thế đi ển và cực B còn gọi là cực khi3. nh hưởng của nhiệt độ lên các đặc tuyến của BJT[r]

BE nằm trong khoảng 0,5-0,8V. Trong vùng này, đặc tuyến truyền có dạng hàm mũ. Ở vùng bão hoà, dòng I tăng nhanh khi VBE t ng xấp x ICBO. y cả trong vùng t động, khi VBE thay đổi một lư ỏ (từ dòng IB thạy đổi) thì dòng IC thay đổi một lượng khá lớn. Vì thế, trong các ứng dụng, người ta[r]

BE nằm trong khoảng 0,5-0,8V. Trong vùng này, đặc tuyến truyền có dạng hàm mũ. Ở vùng bão hoà, dòng I tăng nhanh khi VBE t ng xấp x ICBO. y cả trong vùng t động, khi VBE thay đổi một lư ỏ (từ dòng IB thạy đổi) thì dòng IC thay đổi một lượng khá lớn. Vì thế, trong các ứng dụng, người ta[r]

b. Xác định điểm phân cực mà không dùng họ đặc tuyến.ĐS (a) 19,5 mA; 4,2 V (gần đúng); (b) 20 mA; 4 VHình 2-2 (Bài tập 2-5)Hình 2-3 (Bài tập 2-5)Hình 2-4 (Bài tập 2-6)Hình 2-5 (Bài tập 2-7)2-8 Trên mạch hình 2-7, tìm:Bài tập Kỹ Thuật Điện Tử - Phần BJT – Trang 2/8a. VCE khi IC = 1,5 mA[r]

ĐS (a) 1,12 V rms; (b) 18,25 mV rms2.16 BJT ở mạch hình 2-15 có họ đặc tuyến ra CE như hình 2-16.a. Vẽ đường tải DC và đường tải AC lên họ đặc tuyến ra.Bài tập Kỹ Thuật Điện Tử - Phần BJT – Trang 5/8

ị trước ở nhà những kiến thức sau đây trước khi vào Phòng Thí Nghiệm : I.1. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 2-1. Ngắn mạch các mA kế. Giả thiết các thông số của Transistor C1815 như sau : hfe = = 220, Vγ= 0,5V , bỏ qua điện trở ra 1/hoe. Biến trở P1 được đặt tại điểm giữa. I.1.1 Tính điể[r]

ĐS (a) 1,12 V rms; (b) 18,25 mV rms2.16 BJT ở mạch hình 2-15 có họ đặc tuyến ra CE như hình 2-16.a. Vẽ đường tải DC và đường tải AC lên họ đặc tuyến ra.Bài tập Kỹ Thuật Điện Tử - Phần BJT – Trang 5/8

Tách sóng logarit dải tần số cao từ 0500MHz
Có chế độ khuếch đại hạn chế, với đầu vào và 2 đầu ra
trở kháng vào ra 1K
Mỗi đường cong trên biểu đồ thể hiện một đặc tuyến chuyển đổi mà
các đường đặc tuyến này có cùng dạng tích phân phi tuyến, nhưng được
phân biệt thành ba hiệu[r]

CE)/ RC= -VCE/ RC+ VCC/RC ( 7)Đường tải tĩnh đựợc vẽ trên đặc tuyến ra qua 2 điểm xác định sau:Cho IC= 0  VCEM= VCC(Điểm M)Cho VCE= 0  ICM= VCC/ RC(Điểm N)

=3.3KΩ, UDD=20V. 1. Tính gm, rd. 2. Vẽ đồ thị đường tải tĩnh trên đặc tuyến truyền đạt. 3. Vẽ sơ đồ tương đương xoay chiều. 4. Tính hệ số khuếch đại điện áp. Hình 2 Câu 3(2 điểm): cho mạch điện hình 3. Giả thiết các bộ khuếch đại thuật toán là lý tưởng. 1. Hãy xây dựng biểu thức tín[r]

CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAMĐộc lập-Tự do-Hạnh phúcĐỀ THI TỐT NGHIỆP CAO ĐẲNG NGHỀ KHOÁ 2 (2008-2011)NGHỀ: ĐIỆN TỬ CÔNG NGHIỆPMÔN THI: LÝ THUYẾT CHUYÊN MÔN NGHỀMã đề thi: ĐTCN - LT 27Hình thức thi: ViếtThời gian: 180 Phút (Không kể thời gian giao đề thi)ĐỀ BÀICÂU 1. (2 điểm) Thiết kế mạch đếm[r]

vậy nghiên cứu đề tài này trước hết là tìm hiểu về bản chất vật lý của hiệu ứng GMR,nguyên lý đo cường độ từ trường bằng hiệu ứng GMR, cấu trúc của một van spin vàcấu tạo của một cảm biến điện tử dựa trên van spin cũng như nguyên lý hoạt động củanó. Tiếp theo là khảo sát các đặc tuyến[r]

Đồ thò 3: công suất của bơm 1 theo lưu lượng ở 2 chế độ tốc độCBHD: Thầy Nguyễn Só Xuân Ân 7Đặc tuyến bơm Nhóm 5Đồ thò 4: công suất bơm 2 theo lưu lượng ở 2 chế độ quayCBHD: Thầy Nguyễn Só Xuân Ân 8Đặc tuyến bơm Nhóm 5IV. NHẬN XÉT VÀ BÀN LUẬN Theo kết quả thí nghiệm ta t[r]

ại vài nhận xét chính sau: + Khi điện áp vào U1 biến đổi lượng ∆U1 khá lớn, từ đặc tuyến điôt ổ

Hình 2.53: Đặc tuyến truyền đạt của MOSFET Các tham số của MOSFET được định nghĩa và xác định giống như đối với JFET gồm có: hỗ dẫn S của đặc tính truyền đạt, điện trở trong ri ,điện trở vào rv và nhóm các tham số giới hạn: điện áp khóa UGSO (ứng với 1 giá trị UDS xác định), điện áp th[r]

1ở thấp hơn điểm b) và các tiếp điểm có thể bị hàn dính với nhau do lực ép tiếp điểm không đủ trị số cần thiết .Nếu phần động của cơ cấu có động năng đủ lớn , biểu diễn bằng phần diện tích gạch sọch nằm giữa các đặc tuyến lực chuyển động và phản lực , thì khí cụ điện sẽ được đóng hoàn[r]

Tác động liên thông giữa bộ vi xử lý trung tâm với bộ nhớ chương trình phần mềm cho phép đo chỉ số đặt, xác định đặc tuyến khởi động của BV theo chương trình định trước, xác định thời g[r]