1 BÀI GIẢNG TÓM TẮT MÔN : ĐIỆN TỬ 2 Người soạn : TS.Phạm Hồng Liên Chương 1 : ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP RC I. Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng tranistor : 1. Tụ điện bypass emitter : H.1_1 Liio->o->ooE+VbbCiVccCc2Cc1rRbRReRc
imax,Zvào << Znguồn, Zra >> Ztải ). Cũng có thể phân loại theo dạng đặc tính K = f1(w), từ đó có các bộ khuếch đại 1 chiều, khuếch đại tần số thấp, bộ khuếch đại tần số cao , bộ khuếch đại chọn lọc tần số… hoặc theo các ph[r]
định bằng sức điện động cảm ứng tối thiểu của tín hiệu trên anten để đảmbảm cho máy thu làm việc bình thường và được đo bằng microvolt (μv). Điềukiện làm việc bình thườgn của máy thu là:• Đảm bảo công suất ra (điện áp ra) danh định.• Đảm bảo tỉ số tín hiệu trên nhiễu (S/N).Muốn nâng cao độ nhạy của[r]
imax,Zvào << Znguồn, Zra >> Ztải ). Cũng có thể phân loại theo dạng đặc tính K = f1(w), từ đó có các bộ khuếch đại 1 chiều, khuếch đại tần số thấp, bộ khuếch đại tần số cao , bộ khuếch đại chọn lọc tần số… hoặc theo các ph[r]
KHỐI CAO TẦN, TRUNG TẦN, TÁCH SÓNG: nhận tín hiệu từ anten, khuếch đại, xử lý, tách sóng hình, tự động điều chỉnh tần số ngoại sai và hệ số khuếch đại, đưa các tín hiệu tới các khối 2, 3[r]
tầng khuếch đại và khi tín hiệu vào ở vùng tần số thấp thì hệ số hồi tiếp giảm,mạch khuếch đại sẽ cho độ lợi lớn, tác động này bù được độ không phẳng củađường cong biên tần gây ra do đặc tính của đầu từ.Sau đó tín hiệu được đưa vào tầng khuếch đại có nhiều nút chỉnh đểcho[r]
thể tăng giảm được biên độ ở vùng tần số thấp số hẹp đã được qui định, do đó để phù hợpvới cảm thụ của người nghe.Sau cùng, tín hiệu vào vùng khuếch đại động lực (quen gọi là khuếch đại công suất,Power Amplifier). Tín hiệu được làm tăng công suất lên để làm rung màn loa, phát ra[r]
tầng khuếch đại và khi tín hiệu vào ở vùng tần số thấp thì hệ số hồi tiếp giảm,mạch khuếch đại sẽ cho độ lợi lớn, tác động này bù được độ không phẳng củađường cong biên tần gây ra do đặc tính của đầu từ.Sau đó tín hiệu được đưa vào tầng khuếch đại có nhiều nút chỉnh đểcho[r]
4D5D6D7C B AF0,75đ2Trình bày sơ đồ khối máy cassette dạng phát và nêu nguyên lý quá trình phátcủa một máy Cassette.a/ Sơ đồ khối:b/ Giải thích sơ đồ khối:Trên băng từ có các vết từ, do đó khi băng từ lướt đều qua khe hở của đầu từ phát(play/head, P/H) thì ở cuộn dây cuốn trên lõi từ sẽ phát ra điện[r]
Khâu hiệu chỉnh trễ pha là một bộ lọc thông thấp (xem biểu đồ Bode biên độ), sử dụng khâu hiệu chỉnh trễ pha sẽ thu hẹp băng thông của hệ thống, làm cho hệ số khuếch đại của hệ thống đối với tín hiệu vào tần số cao giảm đi, do đó khâu hiệu chỉnh trễ pha không có tác dụng cải thiện đáp[r]
2kHz, 5 kHz và 10kHz và vẽ đường cong đáp ứng tần số nằm trong dãi tần số từ 100 Hz đến 10 kHz.BÀI 3:Cho mạch điện như hình BT_3:a. Hãy xác đònh giá trò điện trở er.b. Hãy xác đònh hệ số khuếch đại tại tần số trung bình ioVmidVVA =.c. Hãy tính tổng trở vào iZ.d. Hãy tính[r]
o là giá trị tăng ích cực đại, ω là tần số của tín hiệu quang tới, ωo là tần số của chuyển dời nguyên tử, P là công suất quang của chùm sáng tới và Pslà công suất bão hòa của bộ khuếch đại.Ps phụ thuộc vào các thông số của môi trường khuếch đại như: T1 là thời gian phát[r]
♦ Dùng thêm tín hiệu từ máy phát tín hiệu Function Generator trên thiết bị ATS để đưa tín hiệu AC đến ngõ vào IN của mạch khuếch đại. Và chỉnh máy phát tín hiệu : - Đặt chế độ (Function) tại vị trí : Sine - Chỉnh biến trở Amplitude để có giá trị điện áp đỉnh đỉnh VIN(p-p) = 30mV - Tần số[r]
nhờ khuếch đại trung gian 1, qua đổi tần 2 và đến mạch lọc thông dải hạn chế nhiễu và lọc lấy tín hiệu hữu ích. Sau đó tín hiệu được nâng biên độ nhờ bộ khuếch đại trung gian 2 và được đưa vào bộ đổi tần 3 để trộn với tín hiệu hình sine từ bộ dao động 3, có tần số sóng mang phụ[r]
C.CP. Tóm lại, việc tính chế độ một chiều của tầng khuếch đại là giải quyết nhiệm vụ chọn hợp lý các phần tử của sơ đồ để nhận được những tham số cần thiết của tín hiệu ra trên tải. Các hệ số khuếch đại dòng điện KI và điện áp KU và công suất KP cũng như điện trở vào RV và điện trở ra[r]
Để điều khiển các bộ ghép quang ,ta cần dòng vào cho LED hồng ngoại là 10mA và dòng ra cho phototransistor khoảng 2mA là bé nhất .Để giảm thời gian lên (rise time) và thời gian trễ (propagation delay),dòng diôt hồng ngoại có thể giảm còn 1mA nhưng chống nhiễu tồi. Với các mạch điện trên ,bộ ghép[r]