HIỆN TƯỢNG CHUYỂN MẠCH TRONG MẠCH ĐIỆN VÀ YÊU CẦU ĐỐI VỚI CÁC CHUYỂN MẠCH (ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT SLIDE)

Thông số mạch khuếch đại:
M ạ ch phân c ự c nh ư trên tuy đơ n gi ả n nh ư ng ít đượ c dùng do không ổ n đị nh (s ự trôi d ạ t đ i ể m đ i ề u hành c ủ a Q1 ả nh h ưở ng đế n phân c ự c c ủ a Q2), do đ ó trong các m ạ ch liên l ạ c tr ự c ti ế p ng ườ i ta th ườ ng[r]

Trong ch ươ ng này, ta kh ả o sát ch ủ y ế u ở BJT NPN nh ư ng các k ế t q ủ a và ph ươ ng pháp phân tích v ẫ n đ úng v ớ i BJT PNP, ch ỉ c ầ n chú ý đế n chi ề u dòng đ i ệ n và c ự c tính c ủ a ngu ồ n đ i ệ n th ế 1 chi ề u.
2.1. PHÂN C Ự C C Ố Ð Ị NH: (FIXED-BIAS)

Xem m ộ t m ạ ch khu ế ch đạ i đả o (d ị ch pha 180 0 gi ữ a ngõ vào và ngõ ra). Ði ệ n dung ở ngõ vào và ngõ ra s ẽ gia t ă ng b ở i tác d ụ ng c ủ a đ i ệ n dung liên c ự c gi ữ a ngõ ra và ngõ vào c ủ a linh ki ệ n và nó s ẽ làm thay đổ i độ khu ế ch đạ i c ủ a m ạ ch. Trong m[r]

Trong ch ươ ng này ta s ẽ kh ả o sát ả nh h ưở ng c ủ a các t ụ liên l ạ c, phân dòng (có đ i ệ n dung l ớ n) ở t ầ n s ố th ấ p và các t ụ liên c ự c (có đ i ệ n dung nh ỏ ) ở t ầ n s ố cao lên các thông s ố c ủ a m ạ ch khu ế ch đạ i. Tr ướ c khi đ i vào chi ti ế t, ta c ầ n[r]

4.8.1 Ði ệ n tr ở c ự c ngu ồ n có t ụ phân dòng:
Xem m ạ ch khu ế ch đạ i dùng FET nh ư hình 4.21. T ả i R L đượ c xem nh ư m ắ c song song v ớ i đ i ệ n tr ở R D trong m ạ ch t ươ ng đươ ng v ớ i tín hi ệ u nh ỏ . Ta có các k ế t qu ả sau:
4.8.2 Ði ệ n tr ở c ự c ngu ồ n k[r]

3.6 TÍNH KHU Ế CH Ð Ạ I C Ủ A FET VÀ M Ạ CH T ƯƠ NG Ð ƯƠ NG XOAY CHI Ề U TÍN HI Ệ U NH Ỏ :
Ng ườ i ta c ũ ng có th ể dùng FET để khu ế ch đạ i tín hi ệ u nh ỏ nh ư ở BJT. JFET và DE-MOSFET khi đ i ề u hành theo ki ể u hi ế m có d ạ ng m ạ ch gi ố ng nhau. Ði ể m khác n[r]

Ph ươ ng trình (4.5) cho th ấ y c ả hai R S và R L đề u có tác d ụ ng làm gi ả m độ khu ế ch
đạ i.
4.5 M Ạ CH C Ự C PHÁT CHUNG DÙNG BJT:
Trong ph ầ n này ta xét các d ạ ng khác nhau c ủ a m ạ ch kh ế ch đạ i c ự c phát chung dùng BJT v ớ i ả nh h ưở ng c ủ a R S và R L . S ự p[r]

3.6 TÍNH KHU Ế CH Ð Ạ I C Ủ A FET VÀ M Ạ CH T ƯƠ NG Ð ƯƠ NG XOAY CHI Ề U TÍN HI Ệ U NH Ỏ :
Ng ườ i ta c ũ ng có th ể dùng FET để khu ế ch đạ i tín hi ệ u nh ỏ nh ư ở BJT. JFET và DE-MOSFET khi đ i ề u hành theo ki ể u hi ế m có d ạ ng m ạ ch gi ố ng nhau. Ði ể m khác n[r]

Ðiện thế thềm trên VUTP=β.(+VSAT)>0 Ðiện thế thềm dưới VLTP=β.(-VSAT)<0
Giả sử khi mở điện v0 = +VSAT, tụ C nạp điện, điện thế hai đầu tụ tăng dần, khi VC (điện thế ngõ vào -) lớn hơn vf = VUTP (điện thế ngõ vào +) ngõ ra đổi trạng thái thành -VSAT và vf bây giờ là: vf = VLTP = β.(-VSAT[r]

 Thời gian dẫn của transistor < ½ chu kỳ tín hiệu.
 Sử dụng cho tần số vô tuyến (radio freq.), không sử dụng trong kđ âm tần vì biên độ và pha của tín hiệu ngỏ ra ko tuyến tính theo biên độ và pha của tín hiệu ngỏ vào

 Điện dung BE, C b’e : 100 – 5000pF, do hiện tượng trễ và bẫy
 Điện dung CB, C b’c : ~30pF, BJT cao tần: ~1pF, do điện tích trái đấu tích tụ ở 2 bên mối nối C-B
Có thời gian trễ khi lỗ trống khuếch tán

∆U1T - n: là số linh kiện trong mạch mắc nối với tải ở trạng thái dẩn điện không xét trạng thái chuyển mạch - ∆U1T: độ sụt áp theo chiều thuận trên một linh kiện - ∆Udrmax = R∑.Idmax - [r]

 ĐƯỢC SỬ DỤNG ĐỂ THỰC HIỆN CÁC PHÉP TOÁN TRONG MIỀN TƯƠNG TỰ ANALOG NHƯ: CỘNG, TRỪ, NHÂN, CHIA, VI PHÂN, TÍCH PHÂN … TRANG 4 OP-AMP 2 SƠ ĐỒ KHỐI TRANG 5 LỊCH SỬ OP-AMP  OP-AMP ĐẦU TIÊN[r]

TRANG 1 MẠCH ĐIỆN TỬ 2 TRANG 2 NỘI DUNG  GIỚI THIỆU  KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT LỚP A KIỂU CHUNG CỰC E COMMON-EMITTER  MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP BIẾN ÁP TRANSFORMER-COUPLED TRANG 3 MỤC TIÊU VÀ C[r]

Vấn đề điều chỉnh tần số:
- Trong mạch dao động cầu Wien, tần số và hệ số hồi tiếp được xác định bằng công thức:
- Như vậy để thay đổi tần số dao động, ta có thể thay đổi một trong các thành phần trên. Tuy nhiên, để ý là khi có hệ số hồi tiếp β cùng thay đổi theo và[r]

Hệ thống tổng đài điện tử số SPC và một số kỹ thuật chuyển mạch cơ bản

KỸ THUẬT CHUYỂN MẠCH

Câu 1: Chuyển mạch kênh được hiểu là:

A. Chuyển mạch không gian tương tự

B. Chuyển mạch PAM

C. Chuyển mạch s

D. Bao gồm cả A, B, và C

Câu 2: Yêu cầu chung với đối với phần tử chuyển mạch của bộ chuyển mạch không
gian tương tự là (chọn[r]

[r]